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面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料生產(chǎn)企業(yè)、中游晶圓生產(chǎn)企業(yè)，采用獨(dú)立開發(fā)的光學(xué)明暗場檢測系統(tǒng)，對半導(dǎo)體原片、外延片、無圖形晶圓的外觀缺陷進(jìn)行檢測。 檢測精度 7 μm...

面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游晶圓生產(chǎn)企業(yè)、下游封裝測試企業(yè)，采用獨(dú)立開發(fā)的多通道明暗場并行檢測系統(tǒng)，對半導(dǎo)體有圖形晶圓、晶粒的外觀缺陷進(jìn)行檢測。 檢測精度 3 μm.....

面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的原材料生產(chǎn)企業(yè)，采用獨(dú)立開發(fā)的光譜共焦測量系統(tǒng)，對半導(dǎo)體原片、外延片的尺寸和平面度進(jìn)行檢測。 重復(fù)精度 ±0 . 1 μm....

?針對泛半導(dǎo)體和3C行業(yè)，應(yīng)用于Si、GaN、SiC、玻璃以及表面鍍層材料的各類型標(biāo)識，適用于8英寸及以上晶圓。 設(shè)備型號 HD S2113......

面向半導(dǎo)體行業(yè)，采用晶圓機(jī)械手配合外同軸視覺定位等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)2-6英寸晶圓全自動(dòng)激光標(biāo)刻。 平均功率 5W/20W ......

本設(shè)備針對8英寸及以上芯片封測廠，應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)硅基晶圓激光改質(zhì)切割。 重復(fù)定位精度 ±1μm......

本設(shè)備針對8英寸及以上芯片封測廠，應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)40nm及以下的low-k晶圓和硅基GaN等晶圓表面劃線或開槽加工。 重復(fù)定位精度 ±1μm ....

采用紫外皮秒激光器，針對硅和化合物半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行精密半切或全切。 切割線寬 ≤20±5μm（含HAZ） ......

采用納秒激光器，針對GPP晶圓等進(jìn)行精密劃切。 切割頭 自研 重......

本設(shè)備主要為針對半導(dǎo)體、3C行業(yè)開發(fā)的切割設(shè)備。適用于硅、陶瓷、玻璃、SiC等材料的切割。具有切割速 度快、定位精度高的優(yōu)勢。設(shè)備配有高精度CCD視覺系統(tǒng)，能夠...