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    武漢華工激光工程有限責任公司
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    半導體晶圓厚度測量設備

    參  考  價面議
    具體成交價以合同協(xié)議為準

    產(chǎn)品型號

    品       牌

    廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

    所  在  地

    聯(lián)系方式:張經(jīng)理查看聯(lián)系方式

    更新時間:2022-06-28 09:54:03瀏覽次數(shù):441次

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    產(chǎn)品優(yōu)勢
    • 01
      適用范圍廣

      用于各種材質(zhì)各種拋光狀態(tài)的4—8英寸原片、襯底及外延片


    • 02
      測量精度高

      厚度范圍:0—1mm 測量精度:士1μm 重復精度:0.2μm 


    • 03
      測量時間短

      測量時間:30s/pcs(依據(jù)客戶檢測軌跡) 


    技術參數(shù)
    項目主要技術參數(shù)
    常規(guī)參數(shù)Wafer尺寸4" , 6"
    料盒數(shù)量雙層,  14 pcs
    上下料方式機械手,  Mapping掃描
    運動平臺X行程150mm,
    Y行程150mm,
    重復精度 ±0 . 1 μm
    重復精度 ±0 . 1 μm
    產(chǎn)能4" , 240WPH     6" ,  220WPH
    檢測性能檢測功能晶圓(貼膜晶圓)厚度、TTV、翹曲度
    厚度測試精度±0 .5 μm,  重復性:  0 . 1 μm(連續(xù)測試25片,  每片測試5點 )
    厚度范圍± 1 mm
    TTV測試精度±0 .5 um,  重復性:  0 .2 μm
    翹曲度測試精度± 2 μm,  測試范圍:   ± 600μm,  重復性:  1 μm
    使用環(huán)境供電規(guī)格AC220V,50Hz
    氣源要求0.5-0.7Mpa壓縮空氣,無明顯水汽和油脂
    設備重量溫度15-40℃。濕度要求30%-70%,無凝霜
    整機尺寸1800mm*1300mm*2250mm


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