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IGBT 晶體管 詳細(xì)摘要： IGBT 晶體管 STGD8NC60KDT4：該IGBT采用*的PowerMESH™工藝，在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)之間實(shí)現(xiàn)了出色的折衷。
產(chǎn)品型號(hào)：STGD8NC60KDT4 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2019-06-11 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
分立單路晶體管 詳細(xì)摘要： IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 分立單路晶體管：提供了快速開關(guān)，堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)，低導(dǎo)通電阻和成本效益的組合。
產(chǎn)品型號(hào)：IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2019-04-20 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
單項(xiàng)晶體管 詳細(xì)摘要： NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項(xiàng)晶體管：產(chǎn)品具有極低的導(dǎo)通電阻，這在硅基功率MOSFET中是的，因此特別適用于需要功率密度和出色效率的應(yīng)用...
產(chǎn)品型號(hào)：NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2019-04-17 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
溝槽型場(chǎng)截止單項(xiàng)晶體管 詳細(xì)摘要： 溝槽型場(chǎng)截止單項(xiàng)晶體管 STGW80H65DFB：是使用*的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分，它代表了導(dǎo)通和開關(guān)損耗之間的狀...
產(chǎn)品型號(hào)：STGW80H65DFB 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2019-03-27 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
N溝道單項(xiàng)分立晶體管 詳細(xì)摘要： PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N溝道單項(xiàng)分立晶體管：表面貼裝 N 溝道 pval（2068） 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
產(chǎn)品型號(hào)：PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2019-01-08 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
N溝道晶體管 詳細(xì)摘要： N溝道晶體管 CSD18532Q5B：這款2.5mΩ，60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功...
產(chǎn)品型號(hào)：CSD18532Q5B 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2018-11-19 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
N溝道單項(xiàng)晶體管 詳細(xì)摘要： N溝道單項(xiàng)晶體管 STFH24N60M2:該器件是采用MDmesh™M2技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。 由于其條帶布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)，該器件具...
產(chǎn)品型號(hào)：STFH24N60M2 所在地：深圳市 更新時(shí)間：2018-11-10 參考價(jià)： 面議 在線留言