詳細介紹
NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項晶體管:
規(guī)格:
NTMFS4955NT1G:
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 9.7A(Ta),48A(Tc)
驅動電壓(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(大值) 6 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(大值) 10.8nC @ 4.5V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(大值) 1264pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 920mW(Ta),23.2W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼 8-PowerTDFN,5 引線
STP21N65M5:
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅動電壓(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(大值) 190 毫歐 @ 8.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(大值) 50nC @ 10V
Vgs(大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(大值) 1950pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 125W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
以上型號 NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項晶體管 由星際金華優(yōu)勢型號供應,原裝*,價格實惠,更多詳細,請咨詢公司工作人員!