STFH24N60M2-N溝道單項(xiàng)晶體管-深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司

參考價(jià)	面議

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地	進(jìn)口	售后保修期	1個(gè)月
銷售區(qū)域	全國,華東,華南,華北,華中,東北,西南,西北,港澳臺(tái),海外	種類	集成電路

N溝道單項(xiàng)晶體管 STFH24N60M2:
該器件是采用MDmesh™M2技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。由于其條帶布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)，該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性，使其適用于要求較苛刻的高效轉(zhuǎn)換器.TO-220FP寬爬電封裝為功率MOSFET提供更高的表面絕緣，以防止由于電弧放電導(dǎo)致的故障，可能在污染環(huán)境中發(fā)生

詳細(xì)介紹

供應(yīng) N溝道單項(xiàng)晶體管 STFH24N60M2：

一、規(guī)格： FET 類型   N 溝道
技術(shù)   MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）   600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）   18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On）   10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值）   190 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值）   4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（大值）   29nC @ 10V
Vgs（大值）   ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值）   1060pF @ 100V
FET 功能   -
功率耗散（大值）   35W（Tc）
工作溫度   -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型   通孔
供應(yīng)商器件封裝   TO-220FP
封裝/外殼   TO-220-3 整包

二、描述：

該器件是采用MDmesh™M2技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。由于其條帶布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)，該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性，使其適用于要求苛刻的高效轉(zhuǎn)換器.TO-220FP寬爬電封裝為功率MOSFET提供更高的表面絕緣，以防止由于電弧放電導(dǎo)致的故障，可能在污染環(huán)境中發(fā)生

三、特征：

極低的柵極電荷
出色的輸出電容（COSS）曲線
100％通過雪崩測(cè)試
齊納保護(hù)
引腳之間的爬電距離為4.25 mm

四、應(yīng)用：

切換應(yīng)用
LLC轉(zhuǎn)換器，諧振轉(zhuǎn)換器

星際金華供應(yīng) N溝道單項(xiàng)晶體管 STFH24N60M2 原裝*現(xiàn)貨，更多詳情，歡迎詢問！