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當(dāng)前位置：那諾—馬斯特中國有限公司>>Etching刻蝕系統(tǒng)>>IBE離子束刻蝕系統(tǒng)>> NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地國外
聯(lián)系方式：張經(jīng)理查看聯(lián)系方式
更新時間：2022-12-06 11:11:19瀏覽次數(shù)：465次
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| 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 售后保修期 | 12個月 |
|---|---|---|---|
| 銷售區(qū)域 | 全國 |
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
14.5"不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6"水冷樣品臺
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
手動上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
6"范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
J限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，J限真空可達(dá)8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制
菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護(hù)
完整的安全聯(lián)鎖
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