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    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

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    更新時間:2022-11-09 16:11:16瀏覽次數(shù):321次

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    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8“ ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。


    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。


    NDR-4000.png


    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點:

    • 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng),擁有高縱橫比的刻蝕能力;

    • 配套Lab View軟件,菜單驅(qū)動,自動記錄數(shù)據(jù);

    • 觸摸屏監(jiān)控;

    • 全自動系統(tǒng),帶安全聯(lián)鎖;

    • 四級權(quán)限,帶密碼保護;

    • 自動上下載片;

    • 帶Load Lock預(yù)真空鎖;

    • He氣背面冷卻,-60攝氏度的低溫樣品夾具;

    • 高達-1000V的外部偏壓;

    • 渦輪分子泵 + 渦旋干泵;

    • 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式;

    • 實時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實時顯示;


    配置內(nèi)容:

    • 外觀尺寸:緊湊型立柜式設(shè)計,不銹鋼腔體,外觀尺寸為28"(W) x 42"(L) x64"(H);

    • 等離子源:NM ICP平面等離子源,帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng)。等離子源安裝在腔體頂部,通過ISO250的法蘭連接;

    • 處理腔體:13"圓柱形鋁質(zhì)腔體,自動上下載片,至大支持6"(可以升級腔體支持更大基片)。腔體帶有2"的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8"區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護。

    • 樣品臺:6"的托盤夾具,能夠支持6"的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度(包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)),并采用He氣實現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊,微精細(xì)地控制He氣流量,包含氣動截止閥;

    • 流量控制:支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計,從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后,采用N2自動沖洗。

    • 真空系統(tǒng):泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

    • RF電源:13.56MHz,帶自動調(diào)諧功能的1000W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。

    • 操作控制:整個系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),實現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機制的四級權(quán)限控制。



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