2月22日，安徽政府公布了“安徽省2022 年重點項目投資計劃”。據(jù)公示，2022年安徽省重點項目中，其中涉及5個碳化硅項目、1個氮化鎵項目，總投資超85億元。華瑞微、露笑、微芯等項目榜上有名。

華瑞微、露笑：

碳化硅項目超50億

根據(jù)上述計劃，安徽省5大碳化硅項目中，華瑞微SiC MOSFET項目總投資30億元，露笑科技碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目總投資21億元。

●  華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目

該項目主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。計劃一期占地100畝，新建廠房6萬平方米、綜合樓及研發(fā)樓2萬平方米，設(shè)計年產(chǎn)6寸功率器件晶圓72萬片；二期用地200畝，主要生產(chǎn)全流程8寸功率器件晶圓，設(shè)計年產(chǎn)8寸功率器件晶圓36萬片。

據(jù)“三代半風(fēng)向”此前報道，華瑞微半導(dǎo)體 IDM 芯片項目于2020年10月份奠基，2021年5月封頂，并于同年年底正式投產(chǎn)。

●   露笑科技第三代功率半導(dǎo)體 (碳化硅) 產(chǎn)業(yè)園項目

該項目總建筑面積8 萬平方米，主要建設(shè)廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設(shè)備、超凈室、研發(fā)設(shè)備等*設(shè)備。

2020年11月28日，該項目在安徽合肥開工，投資總規(guī)模預(yù)計100億元，一期投資21億元，可形成年產(chǎn)24萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力。二期、三期將主要開展6英寸外延片擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)及8英寸襯底及外延片產(chǎn)線建設(shè)。

值得一提的是，露笑科技為推進(jìn)該項目，在去年11月24日連發(fā)2個重磅公告：

一是宣布與東莞天域簽訂15萬片SiC襯底的戰(zhàn)略合作；

二是募資近30億，加快6英寸SiC襯底量產(chǎn)。

微芯、源芯、德微創(chuàng)芯

項目總投資合計達(dá)31億元

●   微芯SiC單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目總投資為13.5億元，建筑面積3.2萬平方米，新建廠房包括碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間等，購置主要研發(fā)設(shè)備、檢測設(shè)備和其他輔助設(shè)備共576臺（套），年產(chǎn)碳化硅晶圓片4英寸3萬片、6英寸12萬片。

●   德微創(chuàng)芯碳化硅功率芯片項目總投資為6.66億元，總建筑面積8萬平方米，分兩期建設(shè)，一期租賃廠房0.6萬平方米，二期建筑面積7.6萬平方米，建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房、辦公樓及相關(guān)附屬設(shè)施，購置半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，建設(shè)生產(chǎn)線10條，建成后形成年產(chǎn)4.8萬片碳化硅功率芯片的生產(chǎn)能力。

●   源芯*功率半導(dǎo)體基地項目總投資為11億，目標(biāo)建成總建筑面積1萬平方米，建設(shè)10條分立器件封裝線等，開展硅基、碳化硅產(chǎn)品設(shè)計、封裝測試、模塊、品牌營銷一體化基地。

東科半導(dǎo)體

氮化鎵項目獲投3.5億元

除碳化硅項目外，安徽也在布局氮化鎵項目。

東科半導(dǎo)體的超高頻率氮化鎵電源管理芯片項目總投資為3.5億元。就在2月23日，“三代半風(fēng)向”報道過東科的GaN項目3月底竣工。

據(jù)公示，計劃新建廠房5萬平方米，建設(shè)2條氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片封裝線，2條氮化鎵應(yīng)用模組封裝線，年產(chǎn)8000萬-1億只超高頻AC/DC電源管理芯片，4000-5000萬只氮化鎵電源模組。