4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)-沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，環(huán)境溫度在100℃-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)	4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)
安裝條件	本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：不需要 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體，需自備氣瓶氣源 4、工作臺(tái)：尺寸1600mm×600mm×700mm，承重150kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要
主要特點(diǎn)	1、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時(shí)也可以延長(zhǎng)儀器的使用壽命。 2、輝光放電等離子體中電子密度可達(dá)109cm³-1012cm³。 3、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍。 4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計(jì)，可準(zhǔn)確地控制氣體流量。 5、一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。 6、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)部分，可手動(dòng)控制混合氣體的輸入。 7、已通過(guò)CE認(rèn)證。
技術(shù)參數(shù)	管式爐 1、電源：AC220V 4KW 2、爐管：Ø50mm，Ø60mm，Ø80mm都可用 3、溫度控制器：30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器 4、加熱區(qū)：440mm 5、恒溫區(qū)：150mm
	等離子射頻電源 1、輸入功率：AC220V 1KW 2、輸出功率：50W-500W可調(diào)，±1% 3、RF頻率：13.56MHz 4、噪聲：≤55DB 5、冷卻：風(fēng)冷
	真空泵和質(zhì)量流量計(jì) 1、真空度：10^-3torr 2、波紋管：KF25系列 3、質(zhì)量流量計(jì)：0-200，誤差0.02%，進(jìn)氣口采用標(biāo)準(zhǔn)雙卡頭
產(chǎn)品規(guī)格	尺寸：管式爐550mm×380mm×520mm，供氣及真空系統(tǒng)600mm×600mm×1250mm 重量：120kg
可選配件	防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì)