星際金華優(yōu)勢(shì)提供 AS4C256M16D3B-12 并聯(lián)易失存儲(chǔ)器：

規(guī)格：
存儲(chǔ)器類型    易失
存儲(chǔ)器格式    DRAM
技術(shù)    SDRAM - DDR3
存儲(chǔ)容量    4Gb （256M x 16）
時(shí)鐘頻率    800MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)    15ns
訪問(wèn)時(shí)間    20ns
存儲(chǔ)器接口    并聯(lián)
電壓 - 電源    1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度    -40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型    表面貼裝
封裝/外殼    96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝    96-FBGA（13.5x9）

特征：
雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu);每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸
通過(guò)8位預(yù)取流水線架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸
利用用于在接收器處捕獲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)發(fā)送/接收雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS和DQS）
DQS與READ數(shù)據(jù)邊緣對(duì)齊;與WRITE數(shù)據(jù)中心對(duì)齊
差分時(shí)鐘輸入（CK和CK）
DLL將DQ和DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對(duì)齊
在每個(gè)正CK邊緣輸入的命令;數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼引用DQS的兩個(gè)邊
用于寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼（DM）
通過(guò)可編程附加延遲發(fā)布CAS，以獲得更好的命令和數(shù)據(jù)總線效率
片上終端（ODT）可獲得更好的信號(hào)質(zhì)量
同步ODT
動(dòng)態(tài)ODT
異步ODT
用于預(yù)定義模式讀出的多用途寄存器（MPR）
DQ驅(qū)動(dòng)和ODT的ZQ校準(zhǔn)
可編程部分陣列自刷新（PASR）
RESET引腳，用于上電順序和復(fù)位功能
SRT范圍：正常/擴(kuò)展
可編程輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制
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AS4C256M16D3B-12 并聯(lián)易失存儲(chǔ)器：**現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，質(zhì)量保證，量大價(jià)優(yōu)。對(duì)此型號(hào)感興趣的商友，星際金華歡迎您的咨詢！