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    解決方案 | 半導(dǎo)體行業(yè)必備,效率與質(zhì)量雙提升!

    閱讀:196      發(fā)布時(shí)間:2024-2-28
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      半導(dǎo)體行業(yè)解決方案
     
      隨著智能手機(jī)、云計(jì)算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等高新技術(shù)的普及,半導(dǎo)體市場(chǎng)需求迅速增長(zhǎng),“快”速檢測(cè)被急切需求著。
     
      力豐代理的日本三豐高精度影像測(cè)量機(jī),長(zhǎng)期服務(wù)于全球制造業(yè),從各行業(yè)中獲得了豐富的經(jīng)驗(yàn),更為半導(dǎo)體行業(yè)的上、中、下游快速測(cè)量的需求提供了理想的解決方案。
     

    倒裝芯片檢測(cè)方案
      
           倒裝芯片(Flip chip)
     
      廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等電子產(chǎn)品中,是構(gòu)建智能化產(chǎn)品的基礎(chǔ)單元之一。
     
      芯片表面的平整程度會(huì)影響其連接效果,大多數(shù)半導(dǎo)體廠商會(huì)以倒裝主板中心點(diǎn)為原點(diǎn),中心線為軸線,對(duì)各測(cè)量部位相對(duì)于原點(diǎn)的X方向和Y方向的差的絕對(duì)值(坐標(biāo)差)進(jìn)行評(píng)價(jià)分析,測(cè)量坐標(biāo)差。
     
      芯片表面凸點(diǎn)繁多,線路板布線復(fù)雜,接觸式測(cè)量難以實(shí)現(xiàn)快速的批量檢測(cè),按照一般的非接觸式的測(cè)量方法,通常是對(duì)每個(gè)測(cè)量部位先對(duì)焦再測(cè)量,耗費(fèi)的時(shí)間太長(zhǎng)。
     

           TAF功能高效對(duì)應(yīng)坐標(biāo)差檢測(cè)
     
      影像測(cè)量機(jī)QV Pro的TAF激光自動(dòng)追蹤功能,對(duì)于芯片這類非平整表面(且高度差變化不大)進(jìn)行掃描時(shí),無(wú)需停頓式對(duì)焦,從而大大提高了測(cè)量效率。
     
      
            TAF:激光自動(dòng)跟蹤對(duì)焦,工作原理是通過(guò)物鏡中的同軸激光進(jìn)行自動(dòng)對(duì)焦,使Z軸實(shí)時(shí)追蹤到被測(cè)物的高度變化,自動(dòng)進(jìn)行高度調(diào)整,保證對(duì)焦清晰。
     

           表面細(xì)微3D形狀的高精度測(cè)量
     
      此外,在多層基板IC組件的測(cè)量中,如需測(cè)量配線的線寬和線距、過(guò)孔直徑、表面粗糙度時(shí),還可使用白光干涉儀WLI,利用與工件之間產(chǎn)生的白光干涉,可實(shí)現(xiàn)細(xì)微領(lǐng)域的表面分析(粗糙度等)以及形狀(數(shù)微米的不規(guī)則)的高精度3D測(cè)量。
     

    蝕刻機(jī)測(cè)量方案
     
      噴淋頭(Shower Head)
     
      是組裝在硅晶片干刻蝕設(shè)備電極內(nèi)的裝置,主要功能是向反應(yīng)腔室供應(yīng)等離子體,表面分布著密集的氣體供給孔。每個(gè)孔的尺寸會(huì)直接影響到刻蝕機(jī)上所產(chǎn)生的等離子體均勻性。
     
      
           噴淋頭的主要測(cè)量項(xiàng)目是表面密集分布的孔的直徑、基于基準(zhǔn)的坐標(biāo)位置及平面度等。測(cè)量孔如此繁多,通常的影像檢測(cè)時(shí)間會(huì)讓測(cè)量者等到崩潰,更難以適應(yīng)“半導(dǎo)體行業(yè)”的“快”需求,而使用影像測(cè)量機(jī)的“飛測(cè)功能——STREAM模式”。
     
      
           工作臺(tái)可以保持無(wú)停頓的移動(dòng)來(lái)測(cè)量噴頭眾多孔尺寸或異物侵入檢測(cè),實(shí)現(xiàn)了優(yōu)于普通模式的5倍效率的測(cè)量,為高效測(cè)量需求的行業(yè)帶來(lái)福音。
     
      汽車半導(dǎo)體模塊檢測(cè)方案
     
      IGBT是變頻器的核心晶體管。
     
      (Insulated Gate Bipolar Transistor)
     
      主流的IGBT是半導(dǎo)體零件的集合體,是新能源汽車的核心部件之一。
     
      該產(chǎn)品的測(cè)量通常需要涉及到多個(gè)針腳的位置和高度的測(cè)量。影像測(cè)量?jī)xQV Pro標(biāo)配的頻閃照明,其高效的對(duì)焦動(dòng)作以及快速準(zhǔn)確的位置測(cè)量,非常適合用于此類工件的測(cè)量。
     
      在獲得準(zhǔn)確結(jié)果的同時(shí),無(wú)論是表面高度測(cè)量還是邊緣對(duì)焦,甚至是多點(diǎn)同時(shí)對(duì)焦都能輕松對(duì)應(yīng)。

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