華科智源-浪涌電流測試設(shè)備是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

半導體器件在工作時，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。

華科智源浪涌電流測試設(shè)備的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標準。浪涌電流試驗臺，是二極管等相關(guān)半導體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點：

1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設(shè)備，對設(shè)備的電氣性能要求高。

2、該試驗臺的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進行自動測試。

3、該試驗臺采用計算機記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理。

4、該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成：

  a、浪涌測試單元

  b、阻斷參數(shù)測試單元

  c、計算機控制系統(tǒng)

二、技術(shù)條件

2.1 環(huán)境要求：

1、環(huán)境溫度：15—40℃

2、相對濕度：存放濕度不大于80%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、海拔高度：1000米以下

5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

7、電源功率：小于1.5KW

8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9

2.2主要技術(shù)指標：

1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等

2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%

 浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；

3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等

4、測試頻率：單次；重復

5、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V；

6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%；

7、反向電壓頻率：DC直流

8、各種模塊均手動連接，并以單管形式測試。

9、采用計算機控制、采樣及顯示；