產(chǎn)地 |
進(jìn)口 |
類(lèi)型 |
其他X射線(xiàn)儀器 |
售后保修期 |
12個(gè)月 |
銷(xiāo)售區(qū)域 |
全國(guó) |
晶體方位測(cè)量設(shè)備用途單晶硅/晶圓的結(jié)晶方位測(cè)量,支持Si、藍(lán)寶石、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC等化合物。側(cè)角機(jī)構(gòu)可以高精度地測(cè)定單結(jié)晶錠和晶片的結(jié)晶方位、外觀(guān)和外形。
晶體方位測(cè)量設(shè)備的特點(diǎn):
1.實(shí)現(xiàn)角度測(cè)量的高精度化
根據(jù)獨(dú)自的測(cè)角系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)高再現(xiàn)性和線(xiàn)性。
2.長(zhǎng)期穩(wěn)定性能
機(jī)構(gòu)部具有很高的剛性和耐久性,能夠長(zhǎng)期維持穩(wěn)定的性能。
3.采用X射線(xiàn)檔案峰值檢測(cè)功能
根據(jù)統(tǒng)計(jì)處理技術(shù),采用X射線(xiàn)檔案峰值檢測(cè)方式,可獲得高精度穩(wěn)定的角度測(cè)量性能。
4.高速、高精度測(cè)量
不僅有4方位測(cè)量功能,還有2方位測(cè)量功能,測(cè)量時(shí)間只需要4方位測(cè)量的1/2。(不包括SU-001)
方位測(cè)量是用球面幾何學(xué)精確求解結(jié)晶方位的X,Y傾斜度。為此以和4方位測(cè)定相同的精度求出。
5.X射線(xiàn)劑量測(cè)定系統(tǒng)
X射線(xiàn)量測(cè)定系統(tǒng)通過(guò)脈沖海分析儀降低散射等誤差原因,篩選出Cu的特性X射線(xiàn),可進(jìn)行高精度的測(cè)定。
6.采用高靈敏度檢測(cè)器(可支持偏移角大的結(jié)晶)
檢測(cè)器對(duì)應(yīng)檢測(cè)的X射線(xiàn)(Cu的K α)具有高靈敏度。另外,由于是氣體檢測(cè)器,所以對(duì)X射線(xiàn)的入射位置和方向的檢測(cè)靈敏度的變動(dòng)很小,對(duì)于結(jié)晶面的傾斜角的變化可以進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。
晶體方位測(cè)量設(shè)備的參數(shù):
型式 | 対象 | 測(cè)定項(xiàng)目 | 用途 |
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SU-001 | インゴット | Vノッチ(オリフラ面)方位 | Vノッチ加工用円筒研削機(jī)に本裝置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。
?測(cè)定精度:±5′ ?対象ワークサイズ:2~18インチ |
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SU-002 | インゴット | カット面方位(軸方位) | ウェハ加工前インゴットの軸方位を測(cè)定します。
?測(cè)定精度:±30″ ?対象ワークサイズ:2~18インチ |
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SU-003 | ウェハ | Vノッチ(オリフラ面)方位 | カット面方位(軸方位)?ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結(jié)晶面との傾きを測(cè)定し、基準(zhǔn)値と比較して良否判定をします。
?測(cè)定精度:±30″(カット面) ?対象ワークサイズ:2~18インチ |
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SU-005 | インゴット | Vノッチ(オリフラ面)方位、外観、形狀、重量 | Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形狀?深さ?結(jié)晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削殘、直徑、重量を測(cè)定します。
測(cè)定精度:±5′ |
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SU-021 | インゴット | Vノッチ(オリフラ面)方位 | カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結(jié)晶方位を同時(shí)に測(cè)定します。(側(cè)面の測(cè)定のみで軸方位を求めます。特許第3805869號(hào))
?測(cè)定精度:±5′(カット面) ±3′(Vノッチ方位) |
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