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三溫CHUCK晶圓盤在半導體制造和測試領域具有廣泛的應用場景和案例。以下是針對其應用場景和案例的清晰歸納：

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK 應用場景

1. 半導體測試：

晶圓測試：晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，以測試其電氣特性。三溫CHUCK晶圓盤能夠提供從低溫到高溫的測試環(huán)境，確保測試結果的準確性和可靠性。

探針臺測試：在探針臺中，晶圓需要被精確地定位和固定。三溫CHUCK晶圓盤能夠穩(wěn)定地夾持和定位晶圓，確保測試過程中的精度和一致性。

2. 光刻技術：

在光刻過程中，晶圓需要被固定在光刻機上以保證曝光過程的平穩(wěn)性和精度。三溫CHUCK晶圓盤能夠為光刻機提供穩(wěn)定的晶圓支撐和定位。

3. 薄膜涂覆：

薄膜涂覆過程中，晶圓卡盤用于將薄膜涂料均勻地涂覆在晶圓表面上。三溫CHUCK晶圓盤能夠確保涂覆過程在適當的溫度條件下進行，實現(xiàn)薄膜的一致性和高質量。

4. 功率器件測試：

對于功率器件，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等，需要在不同溫度下進行性能測試。三溫CHUCK晶圓盤能夠模擬這些溫度條件，為功率器件的測試提供可靠的環(huán)境。

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性，廣泛應用于八英寸及以下尺寸的半導體器件或晶圓的變溫電學性能關鍵參數分析，如：功率器件建模測試、晶圓可靠性評估、生產型變溫檢測，變溫光電測試、射頻變溫測試等。

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

特征:

• 僅使用空氣冷卻—無液體或帕爾貼元件

• 溫度范圍為-65℃到200℃

• 模塊化系統(tǒng)，適合單獨測試的需要

• 冷卻劑占地面積小，節(jié)省空間

• 兼容各大主流生產型或分析型探針臺

• 可集成全套的軟硬件于一體

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

型號 TC-A200      TC-A300

溫度范圍 -65℃→+200℃；

可選300℃、400℃ 溫度均勻性 <±0.5℃@<100℃；±0.5%@>100℃

溫控系統(tǒng)分辨率 ±0.01℃

溫度穩(wěn)定性 ±0.1℃

表面平整度 <±8μm@-60℃→+200℃；<±15μm@200℃→+300℃

溫控方式 電加熱/潔凈壓縮空氣（CDA）冷卻

表面材料 鍍鎳（可選鍍金）