Gettering DP-干式拋光磨輪-DISCO Corporation

參考價(jià)	面議

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

兼顧提高芯片抗彎強(qiáng)度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪加工對(duì)象:Siliconwafer,etc隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅

詳細(xì)介紹

兼顧提高芯片抗彎強(qiáng)度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪

加工對(duì)象: Silicon wafer, etc

隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅。Gettering DP采用迪思科的干式拋光工藝，通過(guò)去除內(nèi)部應(yīng)力，即提高了芯片抗彎強(qiáng)度又維持了外質(zhì)吸雜功能。由于干式拋光工藝不使用化學(xué)藥品，在減輕環(huán)境負(fù)荷的同時(shí)，與使用研磨液以及化學(xué)藥品的拋光工藝相比，能夠以更簡(jiǎn)便的操作完成薄片晶圓的研磨。

Gettering DP 的種類(lèi)

根據(jù)用途，可提供2種類(lèi)型的GetteringDP 。與標(biāo)準(zhǔn)的GA類(lèi)型相比，因?yàn)镸Z類(lèi)型的DP磨輪更能提高晶圓的抗彎強(qiáng)度，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工。但是，MZ類(lèi)型需要根據(jù)加工物的不同，詳細(xì)選定加工條件，具體本公司的銷(xiāo)售人員。

GA*** type	標(biāo)準(zhǔn)型GetteringDP
MZ*** type	與GA類(lèi)型相比，提高了抗彎強(qiáng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

抗彎強(qiáng)度比較（三點(diǎn)式抗彎強(qiáng)度測(cè)量法）

* Finish thickness:　25 µm Process:　DBG （Dicing Before Grinding）

外質(zhì)吸雜效果

于研磨后的鏡面晶圓經(jīng)強(qiáng)制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結(jié)果相比， Gettering DP研磨后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值，由此可知Gettering DP面具有外質(zhì)吸雜效果。

Cu強(qiáng)制污染前后的TXRF測(cè)量結(jié)果（Φ8英寸鏡面晶圓）

為了定量測(cè)定外質(zhì)吸雜效果，將經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染的樣本以350 ℃加熱3小時(shí)后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進(jìn)行分析。以Gettering DP的研磨晶圓為例，研磨面經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染并擴(kuò)散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。