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詳細介紹
實現(xiàn)高品質(zhì)的晶圓背面研削加工
加工對象: Silicon wafer, etc
通過在縱向切入式(In-Feed)研削機的精加工研削軸（Z2軸）上使用Poligrind（拋光性研削磨輪），在不需要增加新設(shè)備及改變現(xiàn)有生產(chǎn)方式的前提下，就可改善晶圓的精加工表面粗糙度和抗彎強度，獲得更高的加工品質(zhì)。
- 能夠在現(xiàn)有縱向切入式研削機上安裝使用。
- 能夠在不改變原有加工方式的前提下，提高抗彎強度等加工品質(zhì)。
- 與現(xiàn)有的Z2軸（精加工研削）用磨輪相比，實現(xiàn)了高品質(zhì)的精加工表面。
- 對應(yīng)高負荷研削。
實驗結(jié)果
于現(xiàn)有的Z2 軸（精加工研削）用磨輪相比較，有望提高抗彎強度和表面粗糙度等加工品質(zhì)。
抗彎強度（球抗彎）
翹曲度
| Fine grinding wheel | Poligrind |
| Warpage level | 3.5 mm |
| Workpiece | 8" silicon mirror wafer |
| Z2 removal amount | 35 µm |
| Final thickness | 50 µm |
| Fine grinding wheel | #2000 B-K09 |
| Warpage level | 14.0 mm |
| Workpiece | 8" silicon mirror wafer |
| Z2 removal amount | 35 µm |
| Final thickness | 50 µm |
表面粗糙度
| Fine grinding wheel | Poligrind |
| Ra (µm) | 0.009 |
| Rmax (µm) | 0.065 |
| Workpiece | 8" silicon mirror wafer |
| Measurement system | Non-contact high-resolution surface profile measurement system |
| Fine grinding wheel | #2000 B-K09 |
| Ra (µm) | 0.015 |
| Rmax (µm) | 0.081 |
| Workpiece | 8" silicon mirror wafer |
| Measurement system | Non-contact high-resolution surface profile measurement system |
技術(shù)規(guī)格
Poligrind（拋光性研削磨輪）的使用注意事項
為了獲得更好的加工品質(zhì)，需要重新設(shè)定加工條件。為此本公司的應(yīng)用技術(shù)工程師將會根據(jù)具體的加工物和加工要求，竭誠為客戶提供加工方案。
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