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詳細(xì)介紹
使用超細(xì)微鉆石顆粒，兼顧高抗彎強(qiáng)度和外質(zhì)吸雜效果
加工對(duì)象: Silicon wafer, etc
UltraPoligrind采用超細(xì)微鉆石磨粒，相比 Poligrind 可實(shí)現(xiàn)更低的研削損傷和更高的抗彎強(qiáng)度。此外， UltraPoligrind 在消除晶圓應(yīng)力工藝的同時(shí)，仍可維持外質(zhì)吸雜效果。由于是不使用化學(xué)物質(zhì)的一般研削加工，既可減輕環(huán)境負(fù)荷，又能以簡便的操作實(shí)現(xiàn)薄片研削。
- 減少對(duì)晶圓的損傷，實(shí)現(xiàn)高抗彎強(qiáng)度
- 維持與一般研削相同的外質(zhì)吸雜效果
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
晶圓損傷TEM比較
UltraPoligrind研削的晶圓損傷層比Poligrind研削的損傷層有大幅度地減少。
抗彎強(qiáng)度比較（球抗折）
外質(zhì)吸雜效果
于研磨后的鏡面晶圓經(jīng)強(qiáng)制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結(jié)果相比， 用UltraPoligrind 研削后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值， 由此可知 UltraPoligrind 具有更好的外質(zhì)吸雜效果。
Cu強(qiáng)制污染前后的TXRF測量結(jié)果（Φ8英寸鏡面晶圓）
為了定量測定外質(zhì)吸雜效果， 將經(jīng)過Cu強(qiáng)制污染的樣本以350 ℃加熱3小時(shí)后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進(jìn)行分析。以 UltraPoligrind 的研磨晶圓為例， 研磨面經(jīng)過Cu強(qiáng)制污染并擴(kuò)散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。
※ 0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。
技術(shù)規(guī)格
UltraPoligrind 的使用注意事項(xiàng)
為了獲得更好的加工品質(zhì)，需要重新設(shè)定加工條件。為此本公司的應(yīng)用技術(shù)工程師將會(huì)根據(jù)具體的加工物和加工要求，竭誠為客戶提供加工方案。
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