詳細(xì)介紹
兼顧小芯片元件在SD分割時(shí)的高成品率和高生產(chǎn)效率
- Φ200 mm
- SDTT
切實(shí)地分割小芯片晶圓
由于可對(duì)隱形切割※(以下簡(jiǎn)稱為SD)后的晶圓進(jìn)行高成品率,高生產(chǎn)效率的分割,因此只要一臺(tái)機(jī)器便可對(duì)應(yīng)擴(kuò)片(Expand)和裂片(Breaking) 。
※將激光聚焦在加工物內(nèi)部產(chǎn)生變質(zhì)層,再利用膠膜擴(kuò)片等方法進(jìn)行晶圓分割的切割方法。可有效減少IC標(biāo)簽和線傳感器等小芯片/長(zhǎng)芯片等產(chǎn)品元件的切割道。
高生產(chǎn)效率
通過采用不受芯片尺寸約束,以一定的速度進(jìn)行晶圓分割的掃描裂片,相比與每條線都需停止才能進(jìn)行分割的三點(diǎn)彎曲裂片,可縮短分割時(shí)間。
膠膜擴(kuò)片+掃描裂片
- 將膠膜擴(kuò)片后仍未分割的芯片用掃描桿進(jìn)行裂片,可抑制芯片的未分割。
- 晶圓分割后,可在保持芯片間距離的狀態(tài)下,轉(zhuǎn)貼到與晶圓直徑尺寸相同的膠膜框架上。
大幅度的縮短分割時(shí)間
晶圓 | Φ8 inch x 0.1 mm thick |
Si芯片尺寸 | 0.5 × 0.5 mm |
注1:數(shù)值為本公司的實(shí)測(cè)值
注2:加工時(shí)間為個(gè)例,在不同條件下結(jié)果有所不同
Process flow
分割時(shí)集成電路面無需保護(hù)膜
通過預(yù)先擴(kuò)片,防止分割時(shí)的破損
技術(shù)規(guī)格
Specification | Unit | |
---|---|---|
Max. workpiece size | - | Φ8 inch |
Dice size | mm | 0.1~0.5 (narrow side) Max. 20 mm (long side) *long die only |
Wafer mounting accuracy X/Y direction (frame mount) | mm | ±2.5 |
Wafer mounting accuracy θ direction (frame mount) | ° | ±3° |
Machine dimensions (W×D×H) | mm | 718 × 897 × 1,608 (including status indicator) |
Machine weight | kg | Approx.450 |
※為了改善,機(jī)器的外觀,特征,規(guī)格等本公司可能在未預(yù)先通知用戶的情況下實(shí)施變更。
※使用時(shí),請(qǐng)先確認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書。
Product Lineup
Machine type |
Machine dimentions(W × D × H) |
Machine weight(kg) |
DDS2300 | DDS2310 |
全自動(dòng) | 全自動(dòng) |
1,200 × 1,550 × 1,800 | 1,200 × 1,800 × 1,955 |
900 | 1,000 |