一直以來在科技領(lǐng)域相關(guān)我們國家的發(fā)展歷程，和發(fā)達(dá)國家對比起來我們國家一直都屬于一個弱勢的情況。

不過在這樣的一個情況之下，我國的科技領(lǐng)域可以說一直都在尋找著攻克的方向，以求打破這樣的一個局面，某些方面雖然有著非常不錯的發(fā)展，卻仍然還遭受到了美國對我國進(jìn)行的，但是近些年來我們已經(jīng)越來越強(qiáng)了。

特別在當(dāng)前幾乎大家對于我國的華為公司旗下所研發(fā)的一些產(chǎn)品應(yīng)該都不陌生，這也是我國非常大的一個公司，不過在這樣的情況之下，我國這一企業(yè)已經(jīng)多次受到影響，這也造成了極大的損失。

不過現(xiàn)在這樣的情況也并不都是出乎意料的，因?yàn)榫拖衿渌恍﹪以谝恍└哌\(yùn)用技術(shù)上對我國都有著壟斷這樣的一個狀況，就更不用說美方了。

之前在面對荷蘭公司的光刻機(jī)，我們國家就遭到了高價引進(jìn)，那在受到了這樣一個個問題的情況之下，我國也立志要做到自主研發(fā)。

我們在這些年做出的成果中，也得到了很大的成就，特別是現(xiàn)在我國又爆出消息，已經(jīng)突破了5nm光刻技術(shù)的瓶頸期，中科研再一次傳來的這個好消息，更是讓我國芯片的未來更加可期。

不得不說，在今年已經(jīng)連續(xù)研發(fā)出光刻機(jī)，還有跟隨后的10nm米7nm光刻技術(shù)，這也都是我國的成功做出的一步步成就。

這一消息的傳出也更是讓其他國家對此更加震驚，畢竟我國之前光刻機(jī)仍然處于90納米的技術(shù)水平，與一些發(fā)達(dá)國家相比起來更是有著很大的差距。

也是因?yàn)樵谶@樣的一個情況之下，為了更好的不被其他國家進(jìn)行技術(shù)，以此我國對于半導(dǎo)體材料制備技術(shù)的研發(fā)也加強(qiáng)了步伐，最后對于5nm光刻技術(shù)的推廣并且這一技術(shù)成熟之后*可以直接用于我們的碳基芯片中，并且這使得下一個3nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)也有了更大的預(yù)期進(jìn)展。