鈣鈦礦電池激光刻蝕劃線設(shè)備-武漢元祿光電技術(shù)有限公司

參考價(jià)	面議

產(chǎn)品簡介

導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理

詳細(xì)介紹

可根據(jù)需求將整個(gè)加工部分置入手套箱內(nèi)加工

根據(jù)不同場景的需求，配置納秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）波段光源；皮秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）、紫外（355nm）波段光源；飛秒脈寬的紅外光纖（1030nm）、綠光（515nm）波段光源進(jìn)行微精細(xì)激光刻蝕、劃線、構(gòu)造去除、劃片、表面剝離等應(yīng)用。

適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應(yīng)用。

玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕，應(yīng)用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業(yè)。

適用于導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對(duì)鈣鈦礦電池領(lǐng)域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術(shù)上有獨(dú)到的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導(dǎo)入CAD 數(shù)據(jù)CCD相機(jī)定位自動(dòng)激光刻蝕，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)振鏡與直線電機(jī)、電動(dòng)升降工作臺(tái)的設(shè)計(jì)，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決激光刻蝕加工運(yùn)行中的平穩(wěn)性。

設(shè)備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機(jī)電高技術(shù)于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等*制造技術(shù)的特征。可大范圍內(nèi)進(jìn)行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產(chǎn)能，是一個(gè)可靠、穩(wěn)定和具有高性能價(jià)格比的產(chǎn)品。

主要構(gòu)成：激光器、光路系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)、電控制系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、抽塵系統(tǒng)、真吸附空系統(tǒng)、大理石龍門結(jié)構(gòu)、鈑金結(jié)構(gòu)件等。

型號(hào)	納秒紅外 ET650MIR		納秒綠光ET200MG		皮秒綠光/紫外 ET300MPS	飛秒紅外 ET300IRFS			實(shí)驗(yàn)室用刻蝕機(jī) ET200MIR
激光器	1064nm		532nm		532/355nm	1030nm			1064nm
波長/功率	20/30W		5/10W		10/15/30W	20W			20W
加工尺寸	100100/200200/300300/400300/600600/600900/700*1400mm可選可定制加工幅面								110110/140140/ 200*200mm可選
激光器頻率	1-2000KHz		30-150KHz		1-1000KHz	25-5000KHz			1-2000KHz
振鏡	10/14mm通光孔徑								10mm通光孔徑
聚焦鏡	4040/7070/110*110mm幅面（根據(jù)不同的應(yīng)用場景選擇）								100-200mm可選
擴(kuò)束鏡	2X		8X/10X						1.5X
聚焦光斑	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
最小線寬	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
	可根據(jù)需要可全部去除鍍層材料，如P4清邊處理
最小線間距	＜30μm		＜30μm		＜10μm				＜50μm
整機(jī)精度	±15μm								/
適用類型	均可兼容對(duì)柔性基底及玻璃基底表面材料處理
Z軸電機(jī)行程	50mm（自動(dòng)軟件控制）								手動(dòng)500mm
工作臺(tái)定位精度	±3μm								/
工作臺(tái)重復(fù)精度	±1μm								/
CCD相機(jī)定位精度	±3μm								/
刻蝕速度	刻蝕速度4000mm/s（單線）
設(shè)備尺寸/重量	120012001700mm（200200mm幅面內(nèi)）約1000Kg 大尺寸及雙光路 155014501750mm（600600mm幅面內(nèi)）約1800Kg							10507001660mm（LWH）約300Kg
設(shè)備功耗	＜2500W			＜3000W				＜1500W
設(shè)備文件格式	標(biāo)準(zhǔn)CAD DXF文件							DXF/PLT/JPG等
對(duì)比	用于P1導(dǎo)電層ITO/FTO單層材料處理，部分材料刻處理多層，特別是對(duì)清邊處理具有速度優(yōu)勢(shì)	相比較于納秒紅外可對(duì)P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線，可對(duì)ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線		相比較于納秒紅外可對(duì)P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線，可對(duì)ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線。優(yōu)勢(shì)在刻蝕下一層對(duì)上一層的損傷小，刻蝕邊緣影響小，火山口小			與皮秒脈寬波段相似，根據(jù)不同的場景選擇	只能針對(duì)單層材料刻蝕，可根據(jù)需要定制小型化產(chǎn)品幅面100-200mm
備注：量產(chǎn)后一般采用多種波段激光配合使用，非單臺(tái)機(jī)器完成所有膜層制作。