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    鄭州醫(yī)院污水處理設備一體機

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    更新時間:2018-08-27 13:39:18瀏覽次數(shù):306

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    產(chǎn)品簡介

    鄭州醫(yī)院污水處理設備一體機SBA-15目前較合理的合成機理是stucky小組提出的協(xié)同作用機理(CFM),該機理認為無機前驅體和有機模版劑在分子水平上物種相互之間的協(xié)同合作共組裝是有序介觀排列結構的來源,可表示為(S0H+)(X-I+)(S0代表表面活性劑P123,X-代表陰離子,I+代表Si+或Si-OH+),其間存在氫鍵、

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    衛(wèi)生院污水深度處理技術分析—沃華水處理
    衛(wèi)生院污水處理設備深度處理的目的是進一步去除二級(強化)處理未能*去除的有機污染物、SS、色度、嗅味和礦化物等。常見的深度處理技術包括混凝沉淀、介質過濾(含生物過濾)、膜處理及氧化等,小編這次分析將膜生物反應器(MBR)技術也包括在深度處理技術中。

    1、混凝沉淀技術
    利用混凝劑使水中的懸浮顆粒物和膠體物質凝聚形成絮體,然后通過沉淀的方式去除絮體。混凝劑混合反應方式可采用管道混合或機械攪拌等方式。宜選擇鋁鹽和鐵鹽為主的混凝劑,必要時可投加有機高分子助凝劑。沉淀設施主要有平流、豎流、輻流和斜板(管)沉淀池,也可利用澄清池去除絮體。

    (1)(適用范圍)適用于城鎮(zhèn)污水二級處理/二級強化處理出水的深度處理,同時也可作為預處理技術,保障后續(xù)處理工藝過程穩(wěn)定運行。
    (2)(技術特點)經(jīng)濟、簡便、適用范圍廣,對濁度、磷及表觀色度均有較好的去除效果。
    (3)(運行參數(shù))混凝劑投量與進出水水質、混凝劑種類有關,一般運行情況下宜為2-10mg/L(以鐵或鋁計);混合反應時間宜為10-15min,沉淀時間宜為60-120min。
    (4)(處理效果)以二級處理出水為進水,混凝沉淀出水濁度可達到1-5NTU;ODCr去除率約為10-30%;根據(jù)來水總磷濃度,總磷去除率通常為40-80%。

    2、介質過濾技術
    包括砂濾、濾布濾池等SS去除技術,本指南將生物過濾也包括在介質過濾中。
    2.1生物過濾
    利用濾料及其表面附著的生物膜去除氮、有機污染物和懸浮物。根據(jù)處理目標不同分為曝氣生物濾池和反硝化濾池。
    (1)(適用范圍)適用于以城鎮(zhèn)污水二級處理/二級強化處理出水的深度處理,也可用于臭氧氧化出水的后處理。曝氣生物濾池適用于氨氮的去除,反硝化濾池適用于硝態(tài)氮的去除。
    (2)(技術特點)去除氨氮(或總氮)和有機污染物。
    (3)(運行參數(shù))曝氣生物濾池以氨氮為去除目標時,容積負荷一般為0.2-0.6kg氨氮/(m3濾料?d),濾速宜為3-6m/h,供氣量宜為70m3/kg氨氮左右;處理臭氧氧化出水時,濾速宜為4-10m/h;反硝化濾池容積負荷一般為1-1.5kg硝態(tài)氮/(m3濾料?d),濾速宜為5-8m/h,外加碳源可按去除硝態(tài)氮的5-6倍(CODCr/N)計。
    (4)(處理效果)以二級處理出水為進水時,曝氣生物濾池氨氮去除率可達90%以上,CODCr的去除率可達10-30%,出水SS一般≤15mg/L;以臭氧氧化出水為進水時,可有效去除臭氧氧化產(chǎn)生的小分子有機物,如醛類等;反硝化濾池硝態(tài)氮去除率主要取決于投加的碳源量,一般為50-90%。
    (5)(注意事項)曝氣生物濾池在水溫低時硝化效率會下降;反硝化濾池對碳源投加控制要求高,供應不足時會產(chǎn)生亞硝酸鹽積累,過量時會導致出水有機物含量升高,而且應注意因生物生長而導致的濾床堵塞問題;原則上氮的去除應優(yōu)先在二級強化處理單元完成。

    2.2濾布濾池
    利用一定孔徑的濾布過濾去除總懸浮固體。濾布濾池技術為表面過濾技術,可以替代傳統(tǒng)的深床過濾。
    (1)(適用范圍)適用于混凝沉淀出水或其他有除濁要求水的深度處理。
    (2)(技術特點)節(jié)省能耗,一般是常規(guī)氣水反沖濾池能耗的1/3;過濾水頭小;占地面積小,維護使用簡便。
    (3)(運行參數(shù))水力負荷宜為6-16m3/(m2?h),濾盤直徑一般為0.90-3.00m,濾盤反洗轉速一般為0.5-1.0r/min。
    (4)(處理效果)對SS的去除率可達50%以上。
    (5)(注意事項)當SS過高或黏附性較強時,濾布易發(fā)生污染和堵塞。
    3、氧化技術
    利用臭氧等強氧化劑對水中色度、嗅味及有毒有害有機物等進行氧化去除的技術,根據(jù)來水水質狀況和出水水質要求還可以采用臭氧-過氧化氫、紫外-過氧化氫等高級氧化技術。

     

     

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