一、EMI（電磁騷擾）分射頻和工頻兩類測(cè)試
　　l 射頻類測(cè)試項(xiàng)目：
　　1.1 射頻分傳導(dǎo)和輻射兩項(xiàng)測(cè)試
　　射頻傳導(dǎo)（屏蔽室測(cè)試）
　　1.1.1 傳導(dǎo)分電壓和功率兩項(xiàng)測(cè)試
　　1.1.2 傳導(dǎo)電壓標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、14、15、22
　　1.1.3 傳導(dǎo)功率標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、14
　　射頻輻射（電波暗室測(cè)試）
　　1.1.4 射頻輻射標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、22、IEC60571
　　l 工頻類測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）
　　1.2 工頻分諧波和閃爍兩項(xiàng)測(cè)試
　　工頻諧波1.2.1 IEC6100-3-2
　　工頻閃爍1.2.2 IEC6100-3-3
　　二、EMS（電磁敏感度）分瞬變、射頻、低頻磁場(chǎng)、電源質(zhì)量
　　l 瞬變類測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）
　　2.1 瞬變分靜電、瞬變脈沖和浪涌三項(xiàng)測(cè)試
　　瞬變靜電IEC6100-4-2
　　瞬變脈沖IEC6100-4-4
　　瞬變浪涌IEC6100-4-5
　　l 射頻類項(xiàng)目
　　2.2 射頻分傳導(dǎo)和輻射兩項(xiàng)測(cè)試
　　射頻傳導(dǎo)IEC61004-6（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）
　　射頻輻射IEC6100-4-3（電波暗室測(cè)試）
　　l 低頻磁場(chǎng)類測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）
　　2.3 低頻磁場(chǎng)分脈沖磁場(chǎng)和工頻磁場(chǎng)兩項(xiàng)測(cè)試
　　脈沖磁場(chǎng)IEC6100-4-9
　　工頻磁場(chǎng)IEC6100-4-8
　　電源質(zhì)量類測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）
　　2.4分跌落、中斷、電壓變化三項(xiàng)測(cè)試
　　IEC6100-4-11
　　注：1. 傳導(dǎo)功率測(cè)試面積 > 7x1M
　　2. 傳導(dǎo)電壓測(cè)試桌：推薦 2x1.5x0.8
　　要考慮柜式設(shè)備的測(cè)試面積。
　　3. 諧波及閃爍測(cè)試面積 >2x2
　　4. 靜電放電測(cè)試桌：推薦 2x1.5x0.8
　　5. 瞬變及電源質(zhì)量測(cè)試桌： 推薦 2x1.5x0.8
　　4. 5. 可用同一張測(cè)試桌
　　6. 傳導(dǎo)射頻敏感度測(cè)試桌： 推薦 2x1.5x0.8
　　5. 6. 可用同一張測(cè)試桌
　　7. 屏蔽室和實(shí)驗(yàn)室要有相應(yīng)的溫濕度要求
　　8. 敏感度測(cè)試時(shí)周圍不能有敏感設(shè)備
　　9. 在實(shí)驗(yàn)室做測(cè)試時(shí)，周圍不能有發(fā)射或干擾設(shè)備
　　否則測(cè)試要在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行。
　　10. 除功率放大器和諧波，閃爍系統(tǒng)為三相供電外，其他
　　設(shè)備均為單相供電。