您現(xiàn)在的位置:機(jī)床商務(wù)網(wǎng)>技術(shù)中心>分析標(biāo)準(zhǔn)
構(gòu)建電磁兼容實(shí)驗(yàn)室的詳細(xì)方法 2
構(gòu)建電磁兼容實(shí)驗(yàn)室的詳細(xì)方法 2
雖然這項(xiàng)測(cè)量看起來(lái)似乎要比前一項(xiàng)測(cè)量復(fù)雜一些,但實(shí)際上并不特別困難。由圖可見(jiàn),EUT被安放在一張絕緣桌面的轉(zhuǎn)臺(tái)上,距地面80cm,以便在測(cè)量過(guò)程中通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)EUT來(lái)找出zui大發(fā)射值。天線安裝在天線竿上,并可在1~4m之間移動(dòng),目的同樣是為了找出zui大發(fā)射值。EUT和天線中心(上有標(biāo)記)的距離為3m或10m。接收器裝置同樣按照CISPR 16-1制作,在30~1000 MHz的接收范圍內(nèi)其分辨率帶寬必須為120kHz。針對(duì)輻射發(fā)射測(cè)量,接收器可能有一個(gè)設(shè)定。
對(duì)于上述的所有測(cè)量,需要注意在分析結(jié)果時(shí)必須將一些修正因子納入考慮。首先,對(duì)于所有測(cè)量裝置,±4dB為接受的不確定區(qū)間,這一點(diǎn)在CISPR 16-1的附錄L中有所闡述。其次,電纜衰減和連接器衰減也必須予以考慮。但是除此之外,還有更多因素必須予以考慮。
對(duì)于傳導(dǎo)發(fā)射,必須考慮LISN的阻抗偏差及其容限。不過(guò),它的zui大誤差只有2~4dB。吸收鉗的情況就不一樣了,其衰減在14~22dB之間,平均17dB。
輻射發(fā)射測(cè)量中的因子zui大,其NSA(歸一化位置衰減)為-24~24dB。在這種情況下,無(wú)法進(jìn)行任何近似,而且在執(zhí)行測(cè)量時(shí)還必須使用天線因子。此外,根據(jù)設(shè)計(jì)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),在將產(chǎn)品送往第三方實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行測(cè)量之前,還應(yīng)當(dāng)額外預(yù)留6dB的設(shè)計(jì)余量。
3) 諧波和閃爍測(cè)量
諧波和閃爍測(cè)量沒(méi)有環(huán)境方面的規(guī)則。只需將EUT連接到諧波分析儀的電源入口,并根據(jù)廠商的說(shuō)明和標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)則執(zhí)行測(cè)量即可。同樣,測(cè)量設(shè)備將包含一些已有的設(shè)置,但工程師必須確保這些測(cè)量設(shè)置符合自己產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則。如果分析時(shí)使用其他方法(如便攜式電源諧波分析儀),請(qǐng)仔細(xì)閱讀標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則,然后再分析測(cè)量結(jié)果。
4) ESD抗擾度測(cè)量
ESD抗擾度測(cè)量對(duì)于大型設(shè)備可能并不是很重要。但在今天這個(gè)各種產(chǎn)品普遍小型化的時(shí)代,ESD測(cè)量已成為大部分設(shè)備的“關(guān)鍵”EMC測(cè)量之一,例如對(duì)便攜式計(jì)算器、MP3和MD播放器、USB存儲(chǔ)棒、音頻設(shè)備等等。其測(cè)量裝置如圖3所示。
圖3:ESD抗擾度測(cè)量裝置
由圖可見(jiàn),EUT仍然安放在一張絕緣桌上,位于HCP(水平耦合平面,由說(shuō)說(shuō)金屬傳導(dǎo)材料制成)上,并通過(guò)一個(gè)絕緣抗靜電襯墊和其隔離。VCP(垂直耦合平面)和HCP分別連接到地參考平面,每個(gè)連接端各使用一只470 kΩ的電阻。對(duì)于EUT的每個(gè)側(cè)面和VCP、HCP,以及EUT上每個(gè)用手能觸摸到的金屬表面,分別使用鋒利進(jìn)行接觸放電(直接放電),通常每個(gè)極性5次。對(duì)于機(jī)箱的所有塑料部分,則利用圓形進(jìn)行空氣放電(間接放電)。
5) 輻射電磁場(chǎng)抗擾度的測(cè)量
輻射電磁場(chǎng)抗擾度的測(cè)量裝置和輻射發(fā)射測(cè)量非常類似,但是在這項(xiàng)測(cè)量中,信號(hào)發(fā)生器和功率放大器將饋送給天線,以便在EUT附近產(chǎn)生“均勻電磁場(chǎng)”(±6dB)(在頻率范圍80~1000 MHz、AM、1kHz、80%調(diào)制深度下為3V/m或10V/m)。需要注意的是,不同產(chǎn)品的頻率范圍也不相同。
6) 傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)量
傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)量的目的是在EUT端口輸入建立3V電平(有效值,150 kHz~230 MHz、AM、1kHz、80%調(diào)制深度)。信號(hào)發(fā)生器和功率放大器必須提供足夠的功率,以便CDN能將信號(hào)耦合到被測(cè)線。由于測(cè)量項(xiàng)目3)、7)、8)、9)、10)使用的是高度專業(yè)化的設(shè)備,如果實(shí)驗(yàn)室中有這些設(shè)備,工程師無(wú)需太多操作,只要正確連接EUT就可以了,zui重要的任務(wù)是監(jiān)控EUT的工作方式。
歡迎交流電磁兼容EMC:請(qǐng)加:
贈(zèng)送EMC儀器手冊(cè).或者右鍵進(jìn)入:電磁兼容測(cè)試儀器
- 凡本網(wǎng)注明"來(lái)源:機(jī)床商務(wù)網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于機(jī)床商務(wù)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明機(jī)床商務(wù)網(wǎng),//www.467cc.cn/。違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
- 企業(yè)發(fā)布的公司新聞、技術(shù)文章、資料下載等內(nèi)容,如涉及侵權(quán)、違規(guī)遭投訴的,一律由發(fā)布企業(yè)自行承擔(dān)責(zé)任,本網(wǎng)有權(quán)刪除內(nèi)容并追溯責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來(lái)源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品來(lái)源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 寶雞機(jī)床集團(tuán)與武漢東方駿馳深化戰(zhàn)略合作
- CIMT2025觀眾入場(chǎng)證線上登錄系統(tǒng)已開(kāi)放
- 華中9型智能數(shù)控系統(tǒng)成功入選《2024年度十大科技創(chuàng)新產(chǎn)品》
- 武漢市高檔數(shù)控系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)儀式在華中數(shù)控舉辦
- 2025MTM金屬世界博覽會(huì)·上海 MTM EXPO 2025
- 2025第二十一屆上海國(guó)際鑄造展覽會(huì)
- 2025第22屆越南國(guó)際工業(yè)制造及材料技術(shù)展覽會(huì)VINAMAC2025
- 2025中國(guó)鹽城第十屆國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)暨鹽城機(jī)床展覽會(huì)
- 電磁兼容測(cè)試儀器
- 智能型靜電放電發(fā)生器 半導(dǎo)體靜電放電發(fā)生器 汽車電子靜電放電發(fā)生器 靜電測(cè)試臺(tái) 電快速瞬變脈沖群發(fā)生器 脈沖群耦合去耦網(wǎng)絡(luò) 電容耦合夾 雷擊浪涌發(fā)生器 全自動(dòng)雷擊浪涌發(fā)生器 多功能雷擊浪涌試驗(yàn)站 組合式雷擊浪涌發(fā)生器 浪涌電流發(fā)生器 通信波雷擊浪涌發(fā)生器 智能型電壓跌落發(fā)生器 智能型直流電壓跌落發(fā)生器 智能型振鈴波發(fā)生器 機(jī)載電源特性模擬器 EMI傳導(dǎo)噪聲分析儀 電力線感應(yīng)模擬發(fā)生器 工頻磁場(chǎng)發(fā)生器
- 實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)集成項(xiàng)目
- 組裝式電磁兼容屏蔽室 焊接式電磁兼容屏蔽室 電波暗室/微波暗室/屏蔽室 三環(huán)天線輻射測(cè)試系統(tǒng) 騷擾功率測(cè)試系統(tǒng) 電源線傳導(dǎo)騷擾測(cè)試系統(tǒng) 手機(jī)的無(wú)源測(cè)試和有源測(cè)試 諧波電流、電壓波動(dòng)和閃爍測(cè)試 喀嚦聲干擾測(cè)試系統(tǒng) 輻射敏感度(抗擾度)系統(tǒng) 射頻傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試系統(tǒng)
- 防雷測(cè)試&高壓沖擊系統(tǒng)
- 1.2/50μs沖擊電壓發(fā)生器 8/20μs沖擊電流發(fā)生器 10/700μs沖擊電壓發(fā)生器 4/10μS沖擊電流發(fā)生器 10/1000μs沖擊電流發(fā)生器 2ms方波沖擊電流發(fā)生器 10/350μs沖擊電流發(fā)生器 綜合波沖擊發(fā)生器