表 2. 新標(biāo)準(zhǔn)草案的試驗(yàn)等級(jí)
    從這兩張表格對(duì)比可以看出，新標(biāo)準(zhǔn)草案的嚴(yán)酷度要高于原先的標(biāo)準(zhǔn)，主要是試驗(yàn)頻率有了變化，將原先的 2.5kHz 取消了，一律取 5kHz 和 100kHz 兩種因此，標(biāo)準(zhǔn)草案所規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)的脈沖密集程度有了增加，這對(duì)設(shè)備試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度是一種增加

    2- 試驗(yàn)設(shè)備
    2.1 脈沖群發(fā)生器
    在脈沖群發(fā)生器中，原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案在發(fā)生器組成的主要元件上有一個(gè)明顯區(qū)別：原標(biāo)準(zhǔn)講的是火花氣隙（ spark gap ）；新的標(biāo)準(zhǔn)草案講的是高電壓開(kāi)關(guān)（ high voltage switch ）事實(shí)上，當(dāng)代的脈沖群發(fā)生器里的脈沖形成器件，無(wú)一例外，都是采用高壓電子開(kāi)關(guān)這一改變，對(duì)提高脈沖群發(fā)生器工作的穩(wěn)定性，從及提高試驗(yàn)脈沖的頻率起到了關(guān)鍵的作用
    在 IEC61000-4-4 ： 1995 標(biāo)準(zhǔn)的附錄 A 中，曾經(jīng)有一段文字提到了采用火花氣隙充當(dāng)脈沖形成器件的弊病：
    “由于火花氣隙在低于 1kV 時(shí)的機(jī)械和電氣上的不穩(wěn)定，所以對(duì)低于 2kV 的試驗(yàn)電壓要通過(guò)分壓器來(lái)得到”
    “脈沖群沖單個(gè)脈沖的重復(fù)頻率的實(shí)際值為 10kHz 到 1MHz ，然而廣泛調(diào)查的結(jié)果表明，采用固定調(diào)節(jié)火花氣隙的發(fā)生器難以再現(xiàn)這種相對(duì)較高的重復(fù)頻率，因此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了頻率較低的、有代表性的脈沖”
    所以在脈沖群試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)制定過(guò)程中，把脈沖頻率定為 2.5kHz 和 5kHz 實(shí)在是有一點(diǎn)不得以而為之的味道隨著脈沖形成器件的更新，特別是高速高壓電子開(kāi)關(guān)的選用，把脈沖頻率提高到 5kHz 和 100kHz 是理所當(dāng)然的事情，使得脈沖群抗擾度試驗(yàn)更加切合實(shí)際的干擾情況
    2.2 脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)
    與原標(biāo)準(zhǔn)相比，在標(biāo)準(zhǔn)草案中對(duì)發(fā)生器特性參數(shù)規(guī)定的zui大不同表現(xiàn)為兩點(diǎn)：其一，標(biāo)準(zhǔn)草案給出了兩種不同負(fù)載條件下的輸出電壓范圍， 1000 Ω負(fù)載的輸出電壓為 0.24kV ～ 3.8kV ； 50 Ω負(fù)載的輸出電壓為 0.125V ～ 2kV 其二，標(biāo)準(zhǔn)草案將在 50 Ω負(fù)載上的每個(gè) 2kV 脈沖提供的能量為 4mJ 取消了，代之以脈沖發(fā)生器性能的可比性由下列要求（見(jiàn)表 3 ）加以保證：

    表 3. 新標(biāo)準(zhǔn)草案對(duì)脈沖群發(fā)生器特性參數(shù)的要求

    在表 3 中還可以看到一點(diǎn)：脈沖的重復(fù)頻率提高并不會(huì)造成對(duì)受試設(shè)備注入能量的增加，這是因?yàn)橹貜?fù)頻率自 5kHz 提高到 100kHz （頻率提高了 20 倍），但脈沖群的持續(xù)時(shí)間卻從 15ms 縮減到 0.75ms （持續(xù)時(shí)間縮減到原來(lái)的二十分之一），因此注入受試設(shè)備的脈沖總量沒(méi)變（仍為 75 個(gè)），注入受試設(shè)備的*量也就沒(méi)變，只是單位時(shí)間內(nèi)的脈沖密集程度有了增加考慮到國(guó)外專(zhuān)家對(duì)脈沖群試驗(yàn)的故障機(jī)理解釋為是干擾脈沖對(duì)線(xiàn)路結(jié)電容的充電，脈沖頻率越高，單位時(shí)間內(nèi)的脈沖個(gè)數(shù)越多，對(duì)結(jié)電容的電荷積累也越快，越容易達(dá)到線(xiàn)路出錯(cuò)的閾限因此，新的標(biāo)準(zhǔn)草案把測(cè)試頻率提高，其本質(zhì)上也是將試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度有所提高
    2.3 發(fā)生器性能校驗(yàn)
    對(duì)發(fā)生器的性能必須進(jìn)行校驗(yàn)，以便對(duì)所有參與做試驗(yàn)的試驗(yàn)發(fā)生器的性能建立一個(gè)共同依據(jù)校驗(yàn)可采用下列步驟：
    在試驗(yàn)發(fā)生器的輸出端依次分別接入 50 Ω和 1k Ω的同軸衰減器，并用示波器加以監(jiān)測(cè)監(jiān)測(cè)用示波器的－ 3dB 帶寬，以及體現(xiàn)試驗(yàn)發(fā)生器負(fù)載的 50 Ω和 1k Ω的同軸衰減器的頻率響應(yīng)要求達(dá)到 400MHz 以上其中 50 Ω是試驗(yàn)發(fā)生器的匹配負(fù)載； 1k Ω試驗(yàn)負(fù)載則體現(xiàn)了發(fā)生器的一個(gè)復(fù)合負(fù)載不同的試驗(yàn)發(fā)生器只有在兩種的負(fù)載條件下?lián)碛邢嗤匦裕拍鼙ＷC在實(shí)際的抗擾度試驗(yàn)中有相互可比的試驗(yàn)結(jié)果
    校驗(yàn)中要測(cè)量單個(gè)脈沖的上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間和重復(fù)頻率；以及脈沖群的持續(xù)時(shí)間和重復(fù)周期，詳細(xì)記錄在案
    在表 4 中，對(duì)每一個(gè)設(shè)定電壓分別給出了在 50 Ω負(fù)載上測(cè)得的輸出電壓 V p （ 50 Ω） 以及 1k Ω負(fù)載上測(cè)得的輸出電壓 V p （ 1k Ω） 其中 V p （ 50 Ω） 的幅值容差為 0.5V p （開(kāi)路輸出電壓） ± 10% ； V p （ 1k Ω） 的幅值容差為 V p （ 1k Ω） ± 20% 測(cè)量中要保證分布電容為zui小   

    用于電源線(xiàn)抗擾度試驗(yàn)的耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)，在原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案中有一個(gè)zui大的不同點(diǎn)，前者是對(duì)逐根電源線(xiàn)做共模抗干擾試驗(yàn)；后者是對(duì)所有電源線(xiàn)路同時(shí)做共模抗干擾試驗(yàn)分別見(jiàn)圖 1a 和圖 1b 所示
    對(duì)于耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的性能，新標(biāo)準(zhǔn)草案只從試驗(yàn)的角度，提出了對(duì)特性參數(shù)的要求:
                                
    為了保證在交流 / 直流電源端口試驗(yàn)中使用的耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)性能合格，光有上述基本要求是不夠的，還必須對(duì)耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的共模輸出波形進(jìn)行校驗(yàn)校驗(yàn)時(shí)發(fā)生器的輸出電壓設(shè)置為 4kV 發(fā)生器的輸出接耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的輸入，耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出接 50 Ω負(fù)載，記錄峰值電壓和波形校驗(yàn)要在每一條耦合 / 去耦通路上進(jìn)行測(cè)量結(jié)果應(yīng)該是：脈沖的上升時(shí)間為 5ns ± 30% ；脈沖持續(xù)時(shí)間對(duì) 50 Ω為 50ns ± 30% ，峰值電壓在表 4 要求上± 10 %
    此外，當(dāng)被試設(shè)備以及電源與網(wǎng)絡(luò)脫開(kāi)時(shí)，在耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)輸入端的殘余試驗(yàn)脈沖不超過(guò)所施試驗(yàn)電壓的 10 %
    標(biāo)準(zhǔn)草案對(duì)波形校驗(yàn)結(jié)果一致性的規(guī)定是有重要意義的：實(shí)質(zhì)上，只有大體一致的試驗(yàn)波形才代表試驗(yàn)波形中的諧波成分及其含量的一致性，只有這樣，才能保證采用不同試驗(yàn)發(fā)生器時(shí)的試驗(yàn)結(jié)果大體一致
    2.5 電容耦合夾
    脈沖群對(duì)于 I/O 線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)和控制線(xiàn)抗擾度試驗(yàn)是通過(guò)電容耦合夾進(jìn)行的（如果前述耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)不適合使用在 ac/dc 電源端口時(shí)，也可采用電容耦合夾的耦合方式來(lái)對(duì) ac/dc 電源端口進(jìn)行試驗(yàn)）耦合夾的耦合電容取決于電纜的直徑、材料及電纜的屏蔽情況
    耦合電容典型值為 100pF ～ 1000pF （原標(biāo)準(zhǔn)是 50pF ～ 200pF ）

    3- 試驗(yàn)配置
    3.1 實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置
    關(guān)于實(shí)驗(yàn)式型式試驗(yàn)的配置，在原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案里有兩張非常相似的圖（分別見(jiàn)本文的圖 2a 和圖 2b ）但當(dāng)你在仔細(xì)觀察這兩張圖時(shí)，還是能發(fā)現(xiàn)這兩張圖的差別，zui大的不同出現(xiàn)在這兩張圖的左側(cè)，是關(guān)于臺(tái)式設(shè)備的試驗(yàn)配置
    按照新標(biāo)準(zhǔn)草案的配置，無(wú)論是地面安裝設(shè)備、臺(tái)式設(shè)備、以及其他結(jié)構(gòu)形式的設(shè)備，都將放置在一塊參考接地板的上方被試設(shè)備與參考接地板之間用 0.1m ± 0.01m 厚的絕緣支撐物隔開(kāi)新標(biāo)準(zhǔn)草案規(guī)定，凡是安裝在天花板上或是墻壁上的設(shè)備都按臺(tái)式設(shè)備來(lái)做試驗(yàn)新標(biāo)準(zhǔn)草案還規(guī)定，試驗(yàn)發(fā)生器和耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)也直接放在參考接地板上，并與參考接地板保持低阻抗連接
    新標(biāo)準(zhǔn)草案的這些變化顯得尤其重要：首先將試驗(yàn)發(fā)生器和耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)直接放置在參考接地板上，并且和參考接地板相連，是因?yàn)槊}沖群試驗(yàn)對(duì)被試線(xiàn)路進(jìn)行共模試驗(yàn)，是將干擾加在被試線(xiàn)路與大地之間的試驗(yàn)，而試驗(yàn)中的參考接地板就代表了大地所以將試驗(yàn)發(fā)
    生器和耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)放在參考接地板上是由試驗(yàn)的性質(zhì)決定的，為了不使脈沖群干擾產(chǎn)生過(guò)多衰減，試驗(yàn)發(fā)生器、耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)與參考接地板的連接應(yīng)當(dāng)是低阻抗的
    新標(biāo)準(zhǔn)草案指出與被試設(shè)備連接的所有電纜要放在離地高度為 0.1m 的絕緣支架上明確這一點(diǎn)也很重要，因?yàn)楸辉囋O(shè)備的連接電纜與參考接地板之間構(gòu)成了一個(gè)分布電容，不一樣的離地高度，構(gòu)成的分布電容也是不同的不同的分布電容，對(duì)脈沖群高頻諧波從連接電纜上的逸出情況也將是不一樣的，會(huì)直接影響試驗(yàn)結(jié)果
    新標(biāo)準(zhǔn)草案對(duì)臺(tái)式設(shè)備試驗(yàn)配置方式的改變，則對(duì)臺(tái)式設(shè)備的試驗(yàn)嚴(yán)酷度以及試驗(yàn)結(jié)果的一致性有了極大提高按照原標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)配置，臺(tái)式設(shè)備放在木頭桌子上，試驗(yàn)發(fā)生器放在參考接地板上（試驗(yàn)發(fā)生器的接地端子以低阻抗與參考接地板連接），迭加了干擾電壓的電源線(xiàn)則從地面處再伸展到臺(tái)式設(shè)備的電源輸入端因此電源線(xiàn)的實(shí)際離地高度要在 80cm 以上，使得電源線(xiàn)相對(duì)參考平面的阻抗不能固定（不同的擺放位置有不同的阻抗），而且電源線(xiàn)過(guò)大的高頻阻抗（相對(duì)于電源線(xiàn)離開(kāi)參考地平面為 10cm 的布局來(lái)說(shuō)），使得電源線(xiàn)上的脈沖群干擾的高頻成分大量逸出，導(dǎo)致實(shí)際進(jìn)入被試設(shè)備的干擾變?nèi)跻虼死迷瓨?biāo)準(zhǔn)和新標(biāo)準(zhǔn)草案提供的試驗(yàn)配置對(duì)同一臺(tái)設(shè)備做試驗(yàn)時(shí)，可以得出截然不同的結(jié)果    

此外，新標(biāo)準(zhǔn)草案特別指出，在耦合裝置與被試設(shè)備之間的電源線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的長(zhǎng)度為 0.5m ± 0.05m ，而不是原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的≤ 1m 很顯然，原標(biāo)準(zhǔn)所給出的長(zhǎng)度不明確，從 0 ～ 1m 都屬適合范圍，但是不同的線(xiàn)長(zhǎng)，脈沖群高頻諧波的逸出情況是不同的，被試設(shè)備受到的干擾實(shí)際上是在線(xiàn)上的傳導(dǎo)干擾和逸出到空間的輻射干擾的綜合結(jié)果不同的線(xiàn)長(zhǎng)，被試設(shè)備受到的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾的比例是不同的，沒(méi)法保證試驗(yàn)結(jié)果的可比性因此，明確被試線(xiàn)路的長(zhǎng)度，對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的可比性、一致性特別重要
    新標(biāo)準(zhǔn)草案還規(guī)定，如果制造商提供的不可拆卸的電源電纜的長(zhǎng)度超過(guò) 0.5m ± 0.05m ，超長(zhǎng)的電纜應(yīng)折疊起來(lái)，避免成為一個(gè)扁平線(xiàn)圈，同時(shí)擺放在離參考接地板 0.1m 高的地方而不是原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電源電纜超過(guò) 1m 時(shí)，超長(zhǎng)部分挽成一個(gè)直徑為 0.4m 的扁平線(xiàn)圈，平放在離參考接地板 0.1m 高的地方顯然新標(biāo)準(zhǔn)草案的提法比較合理，對(duì)超長(zhǎng)線(xiàn)的處理也比較容易
    在新標(biāo)準(zhǔn)草案中提出了機(jī)架安裝設(shè)備的試驗(yàn)配置（見(jiàn)圖 3 所示），這在原標(biāo)準(zhǔn)中是沒(méi)有過(guò)的新試驗(yàn)配置方案的提出，避免了由于試驗(yàn)人員對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的理解不一所導(dǎo)致的試驗(yàn)結(jié)果不一
 

    3.2 設(shè)備安裝后的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)配置 
    設(shè)備在安裝現(xiàn)場(chǎng)的試驗(yàn)配置，包括電源端子和 I/O 以及通信端口上的試驗(yàn)，在新標(biāo)準(zhǔn)草案與原標(biāo)準(zhǔn)中都保持基本不變只是經(jīng)軟線(xiàn)和插頭連接到電源的非固定被試設(shè)備在脈沖注入的方法及耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)與被試設(shè)備的距離作了與在實(shí)驗(yàn)室配置相類(lèi)似變更
    4- 試驗(yàn)方法
    關(guān)于試驗(yàn)計(jì)劃中的試驗(yàn)時(shí)間，在原標(biāo)準(zhǔn)中只寫(xiě)不低于 1 分鐘而在新標(biāo)準(zhǔn)草案寫(xiě)道，
    為了加速試驗(yàn)，選擇試驗(yàn)時(shí)間為 1 分鐘試驗(yàn)時(shí)間可以分割成 6 個(gè) 10 秒的脈沖群，每次間隔暫停 10 秒鐘在實(shí)際的環(huán)境中，脈沖群是隨機(jī)發(fā)生的獨(dú)立事件，故不傾向于將脈沖群與被試設(shè)備的信號(hào)同步產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的制定委員會(huì)可以選擇其他的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間

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