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    LED概述

    2012年12月12日 15:24點(diǎn)擊:481來(lái)源:滄州市億達(dá)機(jī)床附件制造有限公司>>進(jìn)入該公司展臺(tái)

    LED概述

     

    LED概述

      LED(Light Emitting Diode),發(fā)光二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)LED,,是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件,它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片,晶片的一端附在一個(gè)支架上,一端是負(fù)極,另一端連接電源的正極使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成,一部分是P型半導(dǎo)體,在它里面空穴占主導(dǎo)地位,另一端是N型半導(dǎo)體,在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候,它們之間就形成一個(gè)“P-N結(jié)”。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)作用于這個(gè)晶片的時(shí)候,電子就會(huì)被推向P區(qū),在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合,然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量,這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色,是由形成P-N結(jié)的材料決定的。 它是一種通過(guò)控制半導(dǎo)體發(fā)光二極管的顯示方式,用來(lái)顯示文字、圖形、圖像、動(dòng)畫(huà)、行情、視頻、錄像信號(hào)等各種信息的顯示屏幕。由于具有容易控制、低壓直流驅(qū)動(dòng)、組合后色彩表現(xiàn)豐富、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于城市各工程中、大屏幕顯示系統(tǒng)。LED可以作為顯示屏,在計(jì)算機(jī)控制下,顯示色彩變化萬(wàn)千的視頻和圖片。 LED是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的半導(dǎo)體。

    LED外延片工藝[2]流程:
      近十幾年來(lái),為了開(kāi)發(fā)藍(lán)色高亮度發(fā)光二極管,世界各地相關(guān)研究的人員無(wú)不全力投入。而商業(yè)化的產(chǎn)品如藍(lán)光及綠光發(fā)光二級(jí)管LED及激光二級(jí)管LD的應(yīng)用無(wú)不說(shuō)明了III-V族元素所蘊(yùn)藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術(shù)中,紅色及綠色發(fā)光二極管之外延技術(shù)大多為液相外延成長(zhǎng)法為主,而黃色、橙色發(fā)光二極管目前仍以氣相外延成長(zhǎng)法成長(zhǎng)磷砷化鎵GaAsP材料為主。
    一般來(lái)說(shuō),GaN的成長(zhǎng)須要很高的溫度來(lái)打斷NH3之N-H的鍵解,另外一方面由動(dòng)力學(xué)仿真也得知NH3和MO Gas會(huì)進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒(méi)有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。

    LED外延片工藝流程如下:
    襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) - 緩沖層生長(zhǎng) - N型GaN層生長(zhǎng) - 多量子阱發(fā)光層生 - P型GaN層生長(zhǎng) - 退火 - 檢測(cè)(光熒光、X射線(xiàn)) - 外延片
    外延片- 設(shè)計(jì)、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - P型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - 劃片 - 芯片分檢、分級(jí)
    具體介紹如下:
    固定:將單晶硅棒固定在加工臺(tái)上。
    切片:將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
    退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆螅眉t外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng),使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。
    倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
    分檔檢測(cè):為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量,對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。此處會(huì)產(chǎn)生廢品。
    研磨:用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度,達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。此過(guò)程產(chǎn)生廢磨片劑。 清洗:通過(guò)有機(jī)溶劑的溶解作用,結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)溶劑。 RCA清洗:通過(guò)多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。


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