一、究竟什么是隱形切割？

導(dǎo)體制造中，使用大晶片是一個(gè)趨勢(shì)。但是晶片本身就非常薄，切割工藝涉及到一系列問(wèn)題，比如一片晶片能夠切割出多少芯片、或者怎樣在不導(dǎo)致缺點(diǎn)的情況下切割出復(fù)雜集成電路芯片等。由于芯片產(chǎn)品在具有更多功能的同時(shí)變得越來(lái)越小，所以切割過(guò)程需工作在越來(lái)越嚴(yán)格的條件下。隱形切割就是一種滿足這種嚴(yán)苛條件的技術(shù)。隱形切割只是半導(dǎo)體制造工藝的一部分，但是這一部分的改變卻可以給整個(gè)工藝造成巨大影響。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品需使用薄晶片，時(shí)代需要呼喚著更小、更高性能的半導(dǎo)體器件。說(shuō)市場(chǎng)需求是推動(dòng)隱形切割在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域獲得目前地位的推動(dòng)力量，一點(diǎn)也不夸張。

二、隱形切割過(guò)程

隱形切割過(guò)程中，波長(zhǎng)可以透過(guò)半導(dǎo)體晶片的激光束經(jīng)過(guò)物鏡聚焦到半導(dǎo)體晶片的一個(gè)點(diǎn)上，然后該光束沿著切割線進(jìn)行掃描。

此處使用的光學(xué)系統(tǒng)具有高的聚焦性能，能夠把光壓縮到衍射限界。因此高重復(fù)、短脈沖的激光束在時(shí)間上和空間上被壓縮到焦點(diǎn)附近非常小的區(qū)域，具有非常高的峰值功率密度。當(dāng)可透過(guò)半導(dǎo)體晶片的激光束在壓縮過(guò)程中，峰值光能密度超過(guò)某個(gè)閾值的時(shí)候，激光束開始出現(xiàn)高吸收率。優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)以及激光束特性可以更好地控制光密度閾值，以達(dá)到只在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部、焦點(diǎn)附近超過(guò)閾值的目的。這樣便可以用激光束選擇性地對(duì)晶體內(nèi)部特定地點(diǎn)進(jìn)行加工，而不會(huì)破壞晶體表面及邊緣。在激光處理的區(qū)域，改性層形成，改性層作為一個(gè)裂縫起點(diǎn)，裂縫垂直變長(zhǎng)，在芯片前后表面上下延伸。隱形切割從內(nèi)部把目標(biāo)材料分割，與普通激光切割從晶片外部切割材料是*不一樣的。