硅片單面減薄技能首要使用于6500V高壓系列的可控硅、整流二極管、高密度二極管的消費工藝，單面減薄的作用是前進硅片單面的外表毫伏數(shù)，以便于下一步磷擴散工序的順利完結(jié)。目前，國內(nèi)其他企業(yè)都選用常規(guī)減薄工藝，即用磨床減薄。

　　其存在如下問題：減薄的平均性差，減去的厚度難以精確操控，簡略碎片，并且經(jīng)過金剛砂研磨，又引進雜質(zhì)，構(gòu)成硅片外表態(tài)難以操控。本發(fā)明的目的是為了供給一種處理上述問題的構(gòu)造規(guī)劃合理、操作簡略的硅片化學(xué)減薄設(shè)備，完結(jié)硅片單面化學(xué)減薄，不只消費批量大，并且前進了廢品率，儉省資源，下降消費本錢。

　　本發(fā)明的技能方案是：一種硅片化學(xué)減薄設(shè)備，包含盛裝混酸液體的箱體，其特征在于：所述箱體底面使用立柱固定有程度支撐板，所述程度支撐板下方固定有氣體鼓泡盒且程度支撐板上開設(shè)有與氣體鼓泡盒相通的矩陣狀氣泡通孔，所述程度支撐板上方設(shè)有支架且所述支架上支撐有用于裝夾硅片的旋轉(zhuǎn)提籃。

　　所述旋轉(zhuǎn)提籃由兩個圓形固定板、橫向布置于兩個圓形固定板之間的四根提籃桿組成，四根提籃桿以圓形固定板的中心線為對稱中心平均散布，所述提籃桿沿其長度方向平均設(shè)有多個徑向環(huán)形槽，四根提籃桿的徑向環(huán)形槽方位互相對應(yīng)且構(gòu)成多個垂直方向的硅片裝夾槽。