GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要
探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?br />樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，
 
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類(lèi)型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。
使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過(guò)試樣上兩外探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。
R_——某位置第i次測(cè)量的平均電阻，i-1，2，3，4，5. 9.6 計(jì)算總平均薄層電阻，見(jiàn)式（6）。
F。———探針修正因子; F，——限定直徑試樣修正因子。
電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小
250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。
探針（帶有彈簧及外引線(xiàn)）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線(xiàn)排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。
R=1(R＋R,)…………………………(3) R2=與（R;＋R，）
計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見(jiàn)GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4 計(jì)算幾何修正因子 F，見(jiàn)式（4）。
 
對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.
Rr=V;R,/V=V/I,……… R,=V,R,/V_=V,/I,-
雙刀雙撐電位選擇開(kāi)關(guān)。
對(duì)仲裁測(cè)量，報(bào)告還應(yīng)包括對(duì)探針狀況、電測(cè)裝置的精度、所測(cè)原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。
本方法對(duì)于薄層厚度不小于3μm的試樣，多實(shí)驗(yàn)室測(cè)量精密度為士12%（R2S）;對(duì)于薄層厚度小于 3 μm 的試樣，多實(shí)驗(yàn)室測(cè)量精密度為±10%（R2S）。 
當(dāng)直接測(cè)量電流時(shí)，采用式（1）、式（2）右邊的形式。對(duì)于仲載測(cè)量，R，與R，之差的值必須小于較大值的 5%。
對(duì)于每一測(cè)量位置，計(jì)算正、反向電流時(shí)試樣的電阻值，見(jiàn)式（1）、式（2）。
測(cè)量條件和步驟整個(gè)測(cè)試過(guò)程應(yīng)在無(wú)光照，無(wú)離頻和無(wú)振動(dòng)下進(jìn)行。
R（T）-號(hào)>R.（n
試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號(hào); 試樣種類(lèi); 試樣薄層厚度;測(cè)試電流; 測(cè)試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào); h） 測(cè)量、測(cè)量者和測(cè)量日期。
電流換向開(kāi)關(guān)
V，———通過(guò)正向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; V。——通過(guò)反向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; R，——標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值，單位為歐姆（）。
標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級(jí)
于10*0.電子測(cè)量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，小刻度為0.1 ℃。
光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，
甲醇，99.5%。 干燥氮?dú)狻y(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~
………………( 5)
電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。
R(TD=R_×F式中∶
計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻 R.，見(jiàn)式（3）。
試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN•cm。 
s=號(hào)（二【R，（TD-瓦（7D羽yt ..
計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻（可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到 23 ℃，具體見(jiàn)表 4），見(jiàn)式（5）。

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見(jiàn)表1所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5'，重復(fù)8.4～~8.7的測(cè)量步驟，測(cè)5組數(shù)據(jù)，測(cè)量結(jié)果計(jì)算
V，——通過(guò)正向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV， V，—通過(guò)反向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV）;
將操針下降到試樣表面測(cè)試，使四探行針陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 
6.3.1 恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.
R-——通過(guò)正向電流時(shí)試樣電阻，單位為歐姆（n）; R，——通過(guò)反向電流時(shí)試樣電阻，單位為救姆（O）; 1，——通過(guò)試樣的正肉電流，單位為毫安（mA）; I，——通過(guò)試樣的反向電流，單位為毫安（mA）;
勢(shì)止白F=F，×F…………………………（ 4） F= F;×F。式中;
化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測(cè)試條件可直接測(cè)試，否則，按下列步驟清洗試樣后測(cè)試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無(wú)污跡為止。將試樣干燥。 放入中清洗1 min。 用純水洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/p>

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿(mǎn)足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測(cè)試精度。 
……………………(6 9.7 計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)偏差，見(jiàn)式（7），