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EMC測(cè)試-詳解

　　一、EMI（電磁騷擾）分射頻和工頻兩類(lèi)測(cè)試

　　l 射頻類(lèi)測(cè)試項(xiàng)目：

　　1.1 射頻分傳導(dǎo)和輻射兩項(xiàng)測(cè)試

　　射頻傳導(dǎo)（屏蔽室測(cè)試）

　　1.1.1 傳導(dǎo)分電壓和功率兩項(xiàng)測(cè)試

　　1.1.2 傳導(dǎo)電壓標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、14、15、22

　　1.1.3 傳導(dǎo)功率標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、14

　　射頻輻射（電波暗室測(cè)試）

　　1.1.4 射頻輻射標(biāo)準(zhǔn)：CISPR11、22、IEC60571

　　l 工頻類(lèi)測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）

　　1.2 工頻分諧波和閃爍兩項(xiàng)測(cè)試

　　工頻諧波1.2.1 IEC6100-3-2

　　工頻閃爍1.2.2 IEC6100-3-3

　　二、EMS（電磁敏感度）分瞬變、射頻、低頻磁場(chǎng)、電源質(zhì)量

　　l 瞬變類(lèi)測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）

　　2.1 瞬變分靜電、瞬變脈沖和浪涌三項(xiàng)測(cè)試

　　瞬變靜電IEC6100-4-2

　　瞬變脈沖IEC6100-4-4

　　瞬變浪涌IEC6100-4-5

　　l 射頻類(lèi)項(xiàng)目

　　2.2 射頻分傳導(dǎo)和輻射兩項(xiàng)測(cè)試

　　射頻傳導(dǎo)IEC61004-6（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）

　　射頻輻射IEC6100-4-3（電波暗室測(cè)試）

　　l 低頻磁場(chǎng)類(lèi)測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）

　　2.3 低頻磁場(chǎng)分脈沖磁場(chǎng)和工頻磁場(chǎng)兩項(xiàng)測(cè)試

　　脈沖磁場(chǎng)IEC6100-4-9

　　工頻磁場(chǎng)IEC6100-4-8

　　電源質(zhì)量類(lèi)測(cè)試項(xiàng)目（實(shí)驗(yàn)室測(cè)試）

　　2.4分跌落、中斷、電壓變化三項(xiàng)測(cè)試

　　IEC6100-4-11

　　注：1. 傳導(dǎo)功率測(cè)試面積 > 7x1M

　　2. 傳導(dǎo)電壓測(cè)試桌：推薦 2x1.5x0.8

　　要考慮柜式設(shè)備的測(cè)試面積。

　　3. 諧波及閃爍測(cè)試面積 >2x2

　　4. 靜電放電測(cè)試桌：推薦 2x1.5x0.8

　　5. 瞬變及電源質(zhì)量測(cè)試桌： 推薦 2x1.5x0.8

　　4. 5. 可用同一張測(cè)試桌

　　6. 傳導(dǎo)射頻敏感度測(cè)試桌： 推薦 2x1.5x0.8

　　5. 6. 可用同一張測(cè)試桌

　　7. 屏蔽室和實(shí)驗(yàn)室要有相應(yīng)的溫濕度要求

　　8. 敏感度測(cè)試時(shí)周?chē)荒苡忻舾性O(shè)備

　　9. 在實(shí)驗(yàn)室做測(cè)試時(shí)，周?chē)荒苡邪l(fā)射或干擾設(shè)備

　　否則測(cè)試要在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行。

　　10. 除功率放大器和諧波，閃爍系統(tǒng)為三相供電外，其他

　　設(shè)備均為單相供電。

　　11. 有標(biāo)準(zhǔn)，為現(xiàn)在手頭的標(biāo)準(zhǔn)。

　　12. 以上為zui低測(cè)試環(huán)境要求！！！！

　　13. 所有測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，如需要國(guó)標(biāo)的請(qǐng)對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)對(duì)照表！！！！