您是否想要采購半絕緣型8英寸碳化硅襯底和導電型8英寸碳化硅晶片，不妨了解下恒邁瑞公司，專業(yè)生產(chǎn)供應碳化硅襯底晶片，尺寸涵蓋2英寸4英寸6英寸及英寸，既有測試D級，研究R級也有產(chǎn)品P級碳化硅襯底。我司與國內外半導體公司及實驗室合作多年，對客戶給予價格支持，歡迎有需求客戶詢價。

從碳化硅粉末開始，通過單晶生長，成為錠，然后通過切割拋光工藝進入襯底，襯底延伸延伸，然后通過光刻、沉積、離子注入等步驟制作設備結構晶圓，晶圓變薄退火成晶片，包裝試驗后，是碳化硅功率設備，最終設備形成電力電子設備并應用。

PVT法(物理氣相傳輸法) 

這是最主流的生長方法。原理：石墨坩堝腔體內，電感線圈加熱，發(fā)生渦流作用，石墨發(fā)熱體加熱，溫度上升至2000攝氏度以上，底部的高純碳化硅分解成原子、分子等氣相物質，又在溫度梯度的作用下，向低溫區(qū)輸送，在碳化硅籽晶上形核成晶；