4英寸6英寸P級(jí)碳化硅襯底晶片廠商

國(guó)內(nèi)主流碳化硅襯底為6英寸，已逐步向8英寸SiC襯底過(guò)度中，而4英寸及2英寸襯底絕大部分廠家已逐步停產(chǎn)，恒邁瑞仍可供應(yīng)4英寸D級(jí)P級(jí)碳化硅襯底片，6英寸導(dǎo)電及半絕緣型碳化硅晶片，且襯底參數(shù)優(yōu)良。同時(shí)P型碳化硅晶片我司亦可供應(yīng)，歡迎有需求客戶聯(lián)系。

作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，碳化硅（SiC）備受歡迎。特性方面，相比傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體材料，SiC擁有3倍的禁帶寬度、3倍的熱導(dǎo)率、近10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、以及2倍的電子飽和漂移速率。理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。

碳化硅主要應(yīng)用在電動(dòng)汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。根據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，就電動(dòng)汽車而言，使用SiC功率半導(dǎo)體時(shí)，行駛里程可以增加18~20%，預(yù)計(jì)未來(lái)汽車的采用率將從目前的15%提高到60%。從整車廠方向上看，目前包括蔚來(lái)、理想、小鵬、小米、嵐圖、智己、比亞迪、長(zhǎng)城等多數(shù)車企均推出了800V碳化硅高壓平臺(tái)。