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當(dāng)前位置:蘇州恒邁瑞材料科技有限公司>> 8英寸N型6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)8英寸N型
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地蘇州市
聯(lián)系方式:程經(jīng)理查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2024-10-31 12:30:38瀏覽次數(shù):247次
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產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) |
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6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商恒邁瑞公司專注于生產(chǎn)供應(yīng)導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片,半絕緣SI型級(jí)P型碳化硅襯底晶片,產(chǎn)品涵蓋測(cè)試D級(jí),研究R級(jí)和產(chǎn)品P級(jí),不同客戶不同應(yīng)用可選擇對(duì)應(yīng)的參數(shù)等級(jí)。除6-8英寸碳化硅襯底外,我司亦可供應(yīng)2英寸4英寸停產(chǎn)等級(jí)的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價(jià)。
SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟,對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。
制造碳化硅襯底的有物理氣象升華法、化學(xué)氣相沉積法以及頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法三種。物理氣相升華法是在高溫真空環(huán)境下將粉料升華,通過溫場(chǎng)的控制在籽晶表面生 長(zhǎng)出碳化硅晶體,是企業(yè)最嘗使用的一種方法。以碳化硅晶片為襯底,使用化學(xué)氣相沉積法,在晶片上淀積一層單晶形成外延片。
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