1100um6英寸碳化硅未拋光切割片生產(chǎn)商

目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光(精拋)。恒邁瑞公司可生產(chǎn)供應(yīng)2英寸4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶錠，碳化硅雙拋襯底片及碳化硅切割片。其中碳化硅切割片厚度選擇性多，有600um 900um 1100um等，長期穩(wěn)定供貨國內(nèi)外研磨拋光設(shè)備輔材廠家。其中化學(xué)機(jī)械拋光作為最終工序，其工藝方法選擇、工藝路線排布和工藝參數(shù)優(yōu)化直接影響拋光效率和加工成本。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光后SiC單晶片獲得超光滑、無缺陷及無損傷表面是高質(zhì)量外延層生長的決定因素。

SiC的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光按照磨料存在狀態(tài)可分為游離磨料拋光和固結(jié)磨料拋光。在游離磨料工藝中，主要采用三體摩擦方式， SiC材料表面會產(chǎn)生微裂紋，形成亞表面損傷。此外，工藝參數(shù)多、游離磨料的分散不穩(wěn)定性對拋光效果均有較大的影響。另外，游離磨料會嵌在拋光表面，不易清洗。拋光過程中游離磨料還會導(dǎo)致拋光墊微孔堵塞，使得表面變得光滑，最終導(dǎo)致材料去除率逐漸下降。