碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導(dǎo)熱性能好和耐腐蝕等性能，在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。恒邁瑞公司供應(yīng)2英寸4英寸6英寸及8英寸未拋光碳化硅切割片，導(dǎo)電N型，各種厚度可供客戶選擇，未拋光SiC切割片可被用于研磨及拋光測試驗證。

SiC材料的表面加工質(zhì)量對制件的可靠性和使用壽命至關(guān)重要，如：在半導(dǎo)體領(lǐng)域，SiC晶片的輕薄化和表面超光滑的特性不僅減小了體積，還降低了其內(nèi)阻，改善了芯片散熱性能。在單晶SiC基片的外延工藝應(yīng)用中要求表面粗糙度Ra<0.3 nm ，并且表面無缺陷、無損傷。光學元件的表面質(zhì)量是影響光學系統(tǒng)成像分辨率的重要因素，拋光就是為了提高表面質(zhì)量，盡量降低表面粗糙度和亞表面損傷層深度，而散射越少，成像分辨率越高。光學鏡面要求其光學元件表面超光滑，表面粗糙度均方根(Root Mean Square ，RMS)<1nm。機械密封元件要求密封端面的表面粗糙度Ra<0.4 μm，平面度一般小于0.9 μm。