蘇州恒邁瑞公司為廣大客戶提供2英寸至8英寸As-cut碳化硅切割片，涵蓋導電N型及半絕緣SI型. 不同尺寸切割片厚度不同，6英寸目前有500um 600um 900um等厚度，2英寸1200um厚，量大也可支持定制生產。可用于磨料，砂輪減薄，拋光等測試驗證用。

經過減薄或研磨后, SiC襯底表面損傷深度通常為2-5um,還需要通過拋光工藝來獲得超光滑表面,大多數(shù)的拋光技術都具有共同原理都是圍繞結合"化學+機械"的復合工藝,即先用漿料將SiC損傷層表面進行氧化,再通過磨粒和拋光墊的機械摩擦去除軟化后的氧化層。

目前,業(yè)界已經發(fā)展出多種拋光技術,例如化學機械拋光(CMP)、電化學拋光(ECMP)、常壓等離子體輔助磨粒(PAR)、光催化輔助化學機械拋光(PCMP)等,目的都是為了增強拋光效果,例如改善表面粗糙度、提高材料去除率(MRR)。化學增效方法主要有電化學、磁流變、等離子體、光催化等,機械增效方法主要有超聲輔助、混合磨粒和固結磨粒拋光等方法。