蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產(chǎn)供應(yīng)碳化硅SiC晶錠，產(chǎn)品主要有4英寸到8英寸，類型分為導(dǎo)電型4H-N 摻雜氮和半絕緣型4H-Si型非摻碳化硅晶錠，產(chǎn)品等級可分為測試D級與產(chǎn)品P級。導(dǎo)電型碳化硅晶錠電阻率0.015~0.025Ω.cm,晶向Off axis:4.0°toward<1120>±0.2°，如有測試激光冷剝離設(shè)備，水導(dǎo)激光切割設(shè)備，金剛石減薄砂輪等需求，歡迎隨時與我司聯(lián)系。

碳化硅晶片的生產(chǎn)包括合成高純碳化硅微粉、晶體生長于石墨坩堝中、晶錠的定向加工至標(biāo)準(zhǔn)尺寸、切割成薄片、研磨至特定平整度和粗糙度、拋光至無損傷表面、全面檢測各項參數(shù)指標(biāo)，以及最終的清洗過程，確保晶片質(zhì)量滿足標(biāo)準(zhǔn)。

SiC晶體以其優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、化學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出重要應(yīng)用價值。

• 力學(xué)上，SiC的硬度僅次于金剛石，常用于磨料和耐磨涂層，如山東艦甲板。

• 熱學(xué)上，SiC的導(dǎo)熱系數(shù)高于Si和GaAs，適合大功率器件，且在高溫下穩(wěn)定，不易熔化。

• 化學(xué)上，SiC耐腐蝕，不易與堿反應(yīng)，并能在空氣中形成保護層，防止進一步氧化。

• 電學(xué)上，SiC具有寬禁帶，低漏電和高擊穿電場，是理想的大功率和高頻器件材料，且可通過摻雜獲得不同電性質(zhì)的SiC晶體。

• 光學(xué)上，純凈SiC無色透明，摻雜后呈現(xiàn)不同顏色，有助于直觀區(qū)分晶型。