4H-N碳化硅晶錠生產(chǎn)商激光冷切割冷剝離

恒邁瑞專注于生產(chǎn)高質(zhì)量4H-N碳化硅晶錠，并為激光冷切割設(shè)備激光冷剝離設(shè)備生產(chǎn)商供應(yīng)6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠。

激光冷切割技術(shù)先用激光照射晶錠形成剝落層，使碳化硅材料內(nèi)部體積膨脹，從而產(chǎn)生拉伸應(yīng)力形成一層非常窄的微裂紋，然后通過(guò)聚合物冷卻步驟將微裂紋處理為一個(gè)主裂紋，最終將晶圓與剩余的晶錠分開。

該技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)：1）每片晶圓總切口損失小于100μm；2）SiC晶圓的良率提高90%；3）該技術(shù)大幅減少了SiC晶圓生產(chǎn)過(guò)程中的原材料損耗，可以提供3倍的材料，最終SiC器件產(chǎn)能提高近2倍，成本降低20-30%。以單個(gè)20mm的SiC晶錠為例，采用多線切割技術(shù)可生產(chǎn)30片350μｍ的晶圓，而采用冷切技術(shù)能將單片晶圓厚度減少到200μｍ，晶圓產(chǎn)量提高到超80片。