D級(jí)碳化硅晶錠廠家 測(cè)試激光冷剝離切割設(shè)備

碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質(zhì)的測(cè)試級(jí)碳化硅晶棒，可用于激光冷剝離設(shè)備，多線切割設(shè)備，激光冷剝離設(shè)備測(cè)試。

光剝離技術(shù)及激光冷切割術(shù)主要應(yīng)用于激光剝離技術(shù)是將激光垂直照射碳化硅晶錠，并聚焦到碳化硅晶錠內(nèi)部一定深度，使表面層改性后，從晶錠上剝離出晶片。相較于線切割技術(shù)，激光剝離技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)：

1、切割時(shí)間從4-5天顯著縮短至17分鐘。

2、材料損失率大幅降低，并從原理上避免鋸口損失，使晶片產(chǎn)出能提高44%，更適合大尺寸晶圓的切割。

3、省掉晶片研磨環(huán)節(jié)，節(jié)約時(shí)間、設(shè)備以及人力成本

一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為主，是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料；第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類(lèi)材料制作。第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。在通信、汽車(chē)、高鐵、衛(wèi)星通信、航空航天等應(yīng)用場(chǎng)景中有優(yōu)勢(shì)。其中，碳化硅、氮化鎵的研究和發(fā)展更為成熟。