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當(dāng)前位置：蘇州恒邁瑞材料科技有限公司>> 碳化硅原始晶錠生產(chǎn)廠家測(cè)試SiC碳面平整度
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地蘇州市
聯(lián)系方式：程經(jīng)理查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2024-10-31 12:30:38瀏覽次數(shù)：380次
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| 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|
SiC碳化硅原始晶錠晶棒生產(chǎn)廠家，用于測(cè)試碳化硅C碳面球面平整度
蘇州恒邁瑞公司為國(guó)內(nèi)外客戶生長(zhǎng)供應(yīng)碳化硅原始晶錠，也可以稱(chēng)之為碳化硅坯料，可用于
用于測(cè)試碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸導(dǎo)電型碳化硅原始晶錠或半絕緣型碳化硅毛坯料
碳化硅主要采用物理氣相輸運(yùn)法（PVT，也稱(chēng)為改良的Lely法或籽晶升華法），高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）作為補(bǔ)充。核心步驟大致分為：
碳化硅固體原料；
加熱后碳化硅固體變成氣體；
氣體移動(dòng)到籽晶表面；
氣體在籽晶表面生長(zhǎng)為晶體。
SiC 材料擁有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率以及抗輻射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更適合在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的環(huán)境中工作。在功率等級(jí)相同的條件下，采用 SiC 器件可滿足功率密度更高、設(shè)計(jì)更緊湊的需求。
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