4英寸SiC碳化硅基GaN氮化鎵外延片RF應(yīng)用

蘇州恒邁瑞公司供應(yīng)高品質(zhì)4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能更好，具有寬禁帶、強原子鍵、高熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好和強抗輻照等性質(zhì)，在光電子、功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

第三代半導(dǎo)體材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體。一二代半導(dǎo)體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限，在微電子領(lǐng)域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導(dǎo)體是可以超越摩爾定律的。相比于一代及第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。