8英寸碳化硅晶片廠家As-cut切割片廠商

蘇州恒邁瑞材料科技主要生產(chǎn)供應(yīng)4英寸、6英寸8英寸4H-N型導(dǎo)電碳化硅切割片和4英寸6英寸4H半絕緣碳化硅切割晶片，所生產(chǎn)的碳化硅襯底片產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于以新能源汽車(chē)、高速軌道交通、超高壓智能電網(wǎng)為代表的功率電子應(yīng)用領(lǐng)域和以5G通信、航空航天通信、相控陣?yán)走_(dá)等為代表的高頻射頻應(yīng)用領(lǐng)域。

碳化硅襯底是電力電子器件的理想襯底，具有低的開(kāi)啟電阻、高的擊穿電壓、高的熱導(dǎo)率以及高的工作溫度。碳化硅襯底能夠降低開(kāi)關(guān)損耗、降低冷卻需求，使得器件小型輕量化、提升系統(tǒng)整體性能。

碳化硅襯底晶片及其功率器件
● 襯底晶片應(yīng)用：照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等
● 新能源汽車(chē)應(yīng)用：電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等
● 應(yīng)用：機(jī)載雷達(dá)通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等
● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等

SiC是由硅和碳組成的化合物半導(dǎo)體材料，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。C原子和Si原子不同的結(jié)合方式使SiC擁有多種晶格結(jié)構(gòu)，如4H、6H、3C等等。4H-SiC因?yàn)槠漭^高的載流子遷移率，能夠提供較高的電流密度，常被用來(lái)做功率器件。