碳化硅As-cut切割晶片生產(chǎn)廠家

恒邁瑞公司生產(chǎn)供應(yīng)SiC碳化硅As-cut切割晶片，產(chǎn)品尺寸涵蓋4英寸至8英寸，可提供導(dǎo)電N型和半絕緣SI型碳化硅切割晶片。我們始終以優(yōu)惠的價(jià)格，優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，提供高品質(zhì)的碳化硅切割晶片產(chǎn)品，除此外也供應(yīng)高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米碳化硅晶棒供設(shè)備測(cè)試用，歡迎國(guó)內(nèi)外客戶來(lái)電詢價(jià)，了解碳化硅襯底晶片的各項(xiàng)詳細(xì)參數(shù)。

SiC的硬度僅次于金剛石，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對(duì)其進(jìn)行機(jī)械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表面與亞表層損傷，影響加工精度。因此，深入研究SiC磨削機(jī)理與亞表面損傷對(duì)于提高SiC磨削加工效率和表面質(zhì)量具有重要意義。
SiC從晶錠到晶圓的加工過(guò)程與其他半導(dǎo)體相同。SiC單晶錠一般在{0 0 0 1}籽晶上進(jìn)行生長(zhǎng)。晶錠一般為圓柱形，長(zhǎng)度為20-30mm。通過(guò)x射線衍射可以確定晶錠的晶體取向，如<0 0 0 1>，<1 1 - 2 0>和<1 0 -1 0>。然后晶錠被切割成許多晶圓，最后進(jìn)行研磨、拋光和清洗。