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當前，隨著半導體技術不斷微縮，*的集成電路器件已從平面向三維結構轉變，集成電路制造工藝正變得越來越復雜，往往需要經(jīng)過幾百甚至上千道的工藝步驟。對于*的半導體器件制造，每經(jīng)過一道工藝，硅片表面都會或多或少的存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益復雜性，使得半導體器件對顆粒污染、雜質濃度和數(shù)量越來越敏感。對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術提出了更高的要求，其關鍵點在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力，傳統(tǒng)的化學清洗、機械清洗、超聲清洗方法均無法滿足需求，而激光清洗可以很容易解決此類污染問題。

另外，隨著集成電路器件尺寸持續(xù)縮小，清洗工藝過程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關注的問題，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術具有非接觸性、無熱效應，不會對被清洗物體產生表面損壞，且不會產生二次污染等傳統(tǒng)清洗方法所的優(yōu)勢，是解決半導體器件污染的清洗方法。