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    成都萊普科技股份有限公司>>>>SiC晶圓激光快速退火系統(tǒng)

    SiC晶圓激光快速退火系統(tǒng)

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    更新時間:2022-01-02 11:00:43瀏覽次數(shù):361

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    產(chǎn)品簡介

    采用激光對重摻雜 SiC 表面沉積一種或幾種過渡金屬進行合金化,精確控制激光能量和分布,形成良好的歐姆接觸。采用激光方式可忽略襯底正面結(jié)構(gòu)的影響,更好的與減薄工藝兼容,簡化工藝流程,提高器件性能。

    詳細介紹

    產(chǎn)品特點
    • · 支持薄片退火 · 優(yōu)秀的退火表面形貌和電學特征

    • · 10-5Ωcm2量級的比接觸電阻率

    • · 高效率、低成本控制

    • · I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程監(jiān)控反饋功能


    應用產(chǎn)品類型

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    技術(shù)指標

    項目LA2540S LA2550S
    晶圓尺寸4/6 Inch 兼容
    典型掃描時間180 sec/p @4 inch90 sec/p @4 inch
    激光能量密度≥ 5J/cm2
    激光輸出穩(wěn)定性≤ 2%,RMS,4hrs
    比電阻接觸率

    ≤ 10 -5Ωcm2

    自動傳片系統(tǒng)雙 LoadPort、多關(guān)節(jié)機器手、預準直器

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