半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據霍爾系數的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能；通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、 連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點，在此前提下，手動測試是不可能完成的。

普賽斯儀表開發(fā)的霍爾效應測試系統可以實現幾千到至幾萬點的多參數自動切換測量，系統由S系列國產源表，2700矩陣開關和S型測試軟件等組成。可在不同的磁場、溫度和電流下根據測試結果計算出電阻率、霍爾系數、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應的測試。

需要測試的參數：

電阻率

霍爾系數

載流子濃度

霍爾遷移率特性曲線

范德堡法

需要的儀器列表：

國產S型源表

開關

變溫器

可變磁場

軟件