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當(dāng)前位置：武漢普賽斯儀表有限公司>>儀器儀表>>數(shù)字源表>> S100/S200/S300國產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)S100/S200/S300
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
聯(lián)系方式：陶女士查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2021-03-16 10:51:11瀏覽次數(shù)：402次
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| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 售后保修期 | 12個(gè)月 |
|---|---|---|---|
| 銷售區(qū)域 | 全國,華東,華南,華北,華中,東北,西南,西北,港澳臺(tái),海外 |
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。 直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ)，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表開發(fā)的半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案，由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET器件為例，配套以下設(shè)備：
兩臺(tái)S型數(shù)字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)
三同軸T型頭
需要測試的參數(shù)：
輸出特性曲線
轉(zhuǎn)移特性曲線
跨導(dǎo) gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表：
SMU 源表
探針臺(tái)或夾具
普賽斯上位機(jī)軟件
高校相關(guān)專業(yè)
測控，微電子
電氣，自動(dòng)化，機(jī)械
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