、氮化鋁陶瓷加工廠，鈞杰陶瓷專業(yè)生產(chǎn)氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、碳化硅特種陶瓷件.公司以高起點、高質(zhì)量為標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)格的選材和生產(chǎn)工藝的標(biāo)準(zhǔn)化,保證了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定,產(chǎn)品廣泛用于紡織、電子、電器、機(jī)械、航空、航天等領(lǐng)域.想進(jìn)一步了解我們的產(chǎn)品，可以直接來我們公司進(jìn)行更深一步的了解。

中國基材的發(fā)展歷史悠久，基材的種類在不斷增加，傳統(tǒng)的基材包括纖維基材，F(xiàn)R-4基材，鋁基材，銅基材等。隨著工業(yè)需求的提高和完善，散熱和熱膨脹系數(shù)的匹配受到限制。當(dāng)傳統(tǒng)基板的性能難以滿足新的需求時，人們不得不開始尋找替代方案。各種需求自然會比較各種基材，并根據(jù)基材進(jìn)行購買。

作為選擇，使用LAM技術(shù)(激光快速激活金屬化技術(shù))的氮化鋁陶瓷基板可以使金屬層與陶瓷之間的結(jié)合更緊密，并且層之間的結(jié)合強(qiáng)度也更高。金屬和陶瓷的高度很高，大可以達(dá)到45.Pa(超過1mm的厚陶瓷板自身電阻)。氮化鋁基板具有更強(qiáng)，更低電阻的金屬膜層，導(dǎo)電層的厚度可定制在1μm~1mm之內(nèi)。氮化鋁陶瓷加工廠

與傳統(tǒng)的陶瓷基板相比，鋁基基板的導(dǎo)熱率為12W/mk。盡管銅本身的熱導(dǎo)率達(dá)到383.8W/mK，但絕緣層的熱導(dǎo)率僅為1.0W/m.K，效果更好。1.8W/m.K氮化鋁陶瓷基板具有出色的導(dǎo)熱性，數(shù)據(jù)范圍為170至230W/m.k。
以熱膨脹系數(shù)(CTE)為例。在LED照明領(lǐng)域，主基板的CTE的平均導(dǎo)熱系數(shù)為1417ppm/C，而硅芯片的CTE的平均導(dǎo)熱系數(shù)為6ppm/C。在溫度升高的情況下，PCB將比芯片封裝更劇烈地膨脹。導(dǎo)致拆焊問題。在此問題下，氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C，更接近芯片的膨脹率，可以有效避免類似情況發(fā)生。

另外，氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分，銅層不含氧化物層，使用壽命長，可在還原性氣氛中*使用，適用于航空航天設(shè)備。

氮化鋁陶瓷基板在市場上被廣泛使用。由于它們的低高頻損耗和低介電常數(shù)，它們可用于高頻電路設(shè)計和安裝以及高密度安裝。線/間距(L/S)分辨率可達(dá)到20m在當(dāng)前輕，薄，緊湊的技術(shù)趨勢下，它非常適合于制造短、小、輕、薄的設(shè)備。

陶瓷基板的生產(chǎn)市場主要在國外。近年來，為了實現(xiàn)氮化鋁陶瓷基板的國產(chǎn)化，具有自主研究的優(yōu)勢，滿足國內(nèi)市場對氮化鋁基板不斷增長的需求，從而有更好的基礎(chǔ)。研究和技術(shù)發(fā)展，結(jié)果，國內(nèi)的PCB企業(yè)關(guān)注在行業(yè)中占據(jù)一線位置，氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢十分突出。

在電子工業(yè)中，沒有貴不貴，只有適不適用，只有合適的才是對的。如何創(chuàng)造物有所值，物超所值?它是航空航天，通信和信息，照明設(shè)備等領(lǐng)域中工業(yè)的快速發(fā)展。這導(dǎo)致了諸如氮化鋁陶瓷基板等產(chǎn)品的出現(xiàn)。這些具有突出優(yōu)勢的產(chǎn)品將不可避免地成為確認(rèn)時代選擇的新趨勢。作為一種較好的選擇，氮化鋁襯底是大勢所趨。氮化鋁陶瓷加工廠