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    深圳青銅劍科技股份有限公司>>驅(qū)動器>>FUJI T型三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器

    三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器

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    • 三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器

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    參考價 面議
    具體成交價以合同協(xié)議為準
    • 型號 FUJI T型
    • 品牌
    • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
    • 所在地 深圳市

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    更新時間:2019-05-14 13:03:27瀏覽次數(shù):934

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    產(chǎn)品簡介

    產(chǎn)地 國產(chǎn) 種類 其他種類
    FUJI T型三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器

      ? 配合 2QD30A17K-I 等 系 列 驅(qū) 動 核 驅(qū) 動 兩 個 間 距 為 73mm 的 并 聯(lián) IGBT (4MBI900VB-120R1-50

      ? 四通道兩并聯(lián)驅(qū)動,每路輸出功率為 4w,峰值電流±30A

      ? 門極開通電壓 15V,關(guān)斷電壓-15V

    詳細介紹

      FUJIT型三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器是基于青銅劍驅(qū)動核2QD30A17K-I設(shè)計而成,是專門針對富士公司4MBI900VB-120R1-50模塊設(shè)計的并聯(lián)驅(qū)動方案,其中兩個IGBT的間距為73mm。

      FUJIT型三電平并聯(lián)方案驅(qū)動器的功能特點、電氣參數(shù)均在配合2QD30A17K-I等系列驅(qū)動核下進行。 該產(chǎn)品主要包括以下功能特性:

      • 配合 2QD30A17K-I 等系列驅(qū)動核驅(qū)動兩個間距為73mm的并聯(lián)IGBT(4MBI900VB-120R1-50

      • 四通道兩并聯(lián)驅(qū)動,每路輸出功率為 4w,峰值電流±30A

      • 門極開通電壓 15V,關(guān)斷電壓-15V

      • 電源電壓信號和 PWM 信號均采用電氣信號傳輸、故障信號采用電氣信號輸出、引出 NTC 端子

      • 有源箝位、短路保護

      • IGBT并聯(lián)時電流不均流度在3%以內(nèi)

      • 軟關(guān)斷保護功能

     

    2.0 Key Data符號

    參數(shù)

    小值

    典型值

    大值

    單位

    IDC

    空載輸入電流

     

    90

     

    mA

    VDD

    邏輯信號電壓

    14

    15

    16

    V

    IDD

    邏輯輸入電流

     

    8

     

    mA

    fs

    開關(guān)頻率

    0

     

    60

    kHz

    Tpd on

    開通延遲時間

     

    580

     

    ns

    Tpd off

    關(guān)斷延遲時間

     

    670

     

    ns

    D

    占空比

    0

     

    100

    %

    VCE sat

    VCE sat監(jiān)控的參考電壓

    2

    8

    9

    V

    Vlevel

    上升沿觸發(fā)閾值電壓

     

    8.8

     

    V

    下降沿觸發(fā)閾值電壓

     

    5.8

     

    V

    VGON

    輸出門極開通電壓(輸出頻率1kHz,輸入電流500mA)

    15.0

    15.2

     

    V

    輸出門極開通電壓(輸出頻率5kHz,輸入電流900mA)

    14.5

    15

     

    V

    VGOFF

    輸出門極關(guān)斷電壓(輸出頻率1kHz,輸入電流500mA)

     

    -15.5

     

    V

    輸出門極關(guān)斷電壓(輸出頻率5kHz,輸入電流900mA)

     

    -14.8

    -14

    V

    tBK

    故障后重啟時間

    40

    45

     

    ms

    tTD

    半橋式模式的死區(qū)時間

    1.6

      

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    工作溫度

    -40

     

    85

    TSTO

    存儲溫度

    -40

     

    85

     

     

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