石墨烯CVD制備設(shè)備

這款配置的低真空CVD系統(tǒng)由1200℃真空管式爐,3通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,可根據(jù)用戶(hù)需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)),石墨烯CVD制備設(shè)備可預(yù)抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、閥均釆用進(jìn)口設(shè)備,性能可靠。控制電躋選用模糊PD程控技術(shù),石墨烯CVD制備設(shè)備具有控溫精度髙,溫沖幅度小,性能可靠,簡(jiǎn)單易操作等特點(diǎn)。CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等。

石墨烯CVD制備設(shè)備技術(shù)參數(shù):

1200雙溫區(qū)加熱爐

電壓 AC220V 50/60Hz

功率 4.5KW 雙溫控

Max溫度 1150 °C

工作溫度 ≤ 1100 °C

升溫速率 ≤  15°C/min

溫控系統(tǒng) PID自動(dòng)控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器

恒溫精度 ±1°C

石英管 25/50/60/80*1400mm

三路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

MAX電壓 185~245V/50Hz

MAX輸出功率  18W

流量計(jì)標(biāo)準(zhǔn)量程 50，100，200，500SCCM（非特殊以氮?dú)鈽?biāo)定，量程可選定）

工作溫度 5~45  °C

工作壓差 0.1~0.5 MPa

MAX壓力 3MPa

準(zhǔn)確度 ±1.5%FS

低真空系統(tǒng)

采用雙極旋片真空泵

不銹鋼充油真空壓力表，良好的抗震性

安裝過(guò)濾器

內(nèi)置測(cè)溫系統(tǒng)

測(cè)溫元件可從加熱區(qū)邊緣延申至溫區(qū)中心法蘭密封，保證爐管的密封性測(cè)溫元件，N型熱電偶

法蘭及支撐

304不銹鋼快速水冷法蘭，長(zhǎng)期水冷無(wú)腐蝕，一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接，放取物料方便快捷可調(diào)節(jié)法蘭的支撐，平衡爐管的受力支撐。包含進(jìn)氣，出氣，真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合，4個(gè)密封硅膠圈等。

石墨烯CVD制備設(shè)備可選配件

混氣系統(tǒng)，中，高真空系統(tǒng)，各種剛玉坩堝，石英管，計(jì)算機(jī)控制軟件，無(wú)紙記錄儀，氧含量分析儀，冷卻水循環(huán)機(jī)。