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中頻淬火的實際應用原理
閱讀：2773 發(fā)布時間：2012-2-16中頻淬火概念
中頻淬火,就是將金屬件放在一個感應線圈內,感應線圈通交流電,產(chǎn)生交變電磁場,在金屬件內感應出交變電流,由于趨膚效應,電流主要集中在金屬件表面,所以表面的溫度zui高,在感應線圈下面緊跟著噴水冷卻或其他冷卻,由于加熱及冷卻主要集中在表面,所以表面改性很明顯,而內部改性基本沒有.可以有很特殊的熱處理效果。
可控硅的特性及檢測
可控硅(SCR)通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有*陽極A1(T1)，第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。
雙向可控硅*陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和*陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當*陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。
2. 單向可控硅的檢測。
萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
3. 雙向可控硅的檢測。
用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為*陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為*陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接*陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接*陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。
晶閘管(可控硅)的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。
中頻爐經(jīng)常燒逆變可控硅應重點檢查部位
1、 主要是大電流和大電壓失控引起的。
⑴高電壓失控：中頻電壓升到一定的值時，逆變器顛覆，無法在高阻抗情況下運行，元件的耐壓降低或冷卻效果不好，系統(tǒng)的絕緣性能降低，中頻電壓升高時機器對地短路，檢查中頻電容和爐子。干擾也可能引起 ，逆變觸發(fā)
線要離主電路遠一些，
⑵大電流失控，中頻電壓的反壓角過小，觸發(fā)電路是否有接觸不良，另外
還要注意關斷時間的一直性。
2、現(xiàn)在由于元件的質量已經(jīng)過關，如果工藝良好，可靠性已經(jīng)非常高。逆變可控硅管相對來講是比較薄弱的部件。如果頻繁地損壞，必然有原因。應著重檢查：
1)逆變管的阻容吸收回路，重點檢查吸收電容器是否斷路。這時，應該采用能夠測量電容量的數(shù)字萬用表檢測電容器，僅僅測量它的通斷是不夠的。如果逆變吸收回路斷線，極易損壞逆變管；
2)檢查管子的電氣參數(shù)是否滿足要求，杜絕使用不合格廠家流入的元件；
3)逆變管的水冷套及其他冷卻水路是否堵塞，雖然這種情況較少，但確實出現(xiàn)過，容易忽略。
4)注意負載有無對地打火的現(xiàn)象，這種情況會形成突變的高電壓，造成逆變管擊穿損壞。
5)運行角度偏大或偏小，都會引起逆變管頻繁過流，從而損傷管子，容易造成*性的損壞。
6)在不影響啟動的情況下，適當加大中頻電源至爐體的中頻回路接線電感，可以緩解因逆變管承受過大的di/dt造成的損壞。